用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113675209A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号202110504068.3(22)申请日2021.05.10(30)优先权数据15/930,7242020.05.13US(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人J·D·霍普金斯(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人王艳娇(51)Int.Cl.H01L27/1157(2017.01)H01L27/11582(2017.01)权利要求书4页说明书13页附图18页(54)发明名称去除所述线的所述牺牲材料。在所述沟槽和由于用于形成包括存储器单元串的存储器阵列所述线的所述牺牲材料的所述去除而留下的空的方法隙空间中形成居间材料。公开了其它实施例。(57)摘要一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括在衬底上形成堆叠的下部部分，所述堆叠将包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的成分。水平伸长线形成在最低第一层中且个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间。所述线包括具有与形成或将形成在所述最低第一层上方的所述第一层材料和形成或将形成在所述最低第一层上方的所述第二层材料不同的成分的牺牲材料。所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层形成在所述下部部分和所述线上方。沟道材料串形成为延伸穿过所述上部部分中的所述第一层和所述第二层到所述下部部分。水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在所述横向紧邻的存储器块区之间且延伸CN113675209A到所述存储器块区之间的所述线。通过所述沟槽CN113675209A权利要求书1/4页1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成堆叠的下部部分，所述堆叠将包括竖直交替的第一层和第二层，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的成分；在最低第一层中形成水平伸长线，所述水平伸长线个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间，所述线包括具有与形成或将形成在所述最低第一层上方的所述第一层材料和形成或将形成在所述最低第一层上方的所述第二层材料不同的成分的牺牲材料；在所述下部部分和所述线上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，并且形成沟道材料串，所述沟道材料串延伸穿过所述上部部分中的所述第一层和所述第二层到所述下部部分；将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在所述横向紧邻的存储器块区之间且延伸到所述存储器块区之间的所述线；通过所述沟槽去除所述线的所述牺牲材料；以及在所述沟槽和由于所述线的所述牺牲材料的所述去除而留下的空隙空间中形成居间材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述线个别地包括在所述最低第一层上方的最上部表面。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述最上部表面在紧接在所述最低第一层上方的所述第二层的顶部中或处。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括金属材料。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述金属材料包括元素钨。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽形成为竖直延伸到所述线的所述牺牲材料中。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层比其上方的所述第一层厚。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述线中的个别者的所述牺牲材料横向延伸到所述相应的横向紧邻的存储器块区中。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述沟槽形成为竖直延伸到所述线的所述牺牲材料中。10.根据权利要求9所述的方法，其包括在形成所述沟槽之后，去除横向延伸到所述相应的横向紧邻的存储器块区中的所述牺牲材料的最上部部分。11.根据权利要求10所述的方法，其包括在去除所述牺牲材料的所述最上部部分之后，用填充由于所述牺牲材料的所述最上部部分的所述去除而在紧接在所述最低第一层上方的所述第二层中留下的空腔的内衬材料内衬所述沟槽。12.根据权利要求11所述的方法，其包括去除所述内衬材料且纵向沿着所述相应的横向紧邻的存储器块区在所述沟槽中和在所述空腔中形成居间材料，所述居间材料包括绝缘材料。13.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述下部部分之前形成包括导体材料的导体层，所述下部部分形成在所述导体层上方。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述最低第一层在形成所述上部部分之前不直2CN113675209A权利要求书2/4页接抵靠所述导体层的所述导体材料。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二层中的最低者在形成所述上部部分之前竖直处于所述导体层的所述导体材料与所述最低第一层之间。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述最低第二层在形成所述上部部分之前比其上方的所