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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116034641A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202180046104.4(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(22)申请日2021.07.23责任公司11287专利代理师任超(30)优先权数据16/987,9912020.08.07US(51)Int.Cl.H10B43/50(2023.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.12.28(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2021/0429642021.07.23(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/031461EN2022.02.10(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人王宜平J·D·格林利C·豪德权利要求书3页说明书11页附图10页(54)发明名称集成电路系统的导电通孔、包括存储器单元串的存储器阵列、形成集成电路系统的导电通孔的方法,以及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法(57)摘要一种用于形成集成电路系统的导电通孔的方法包括在竖向细长开口的侧壁上方侧向形成衬里。所述衬里包括元素形态硅。在所述竖向细长开口中离子植入所述衬里的最上部分的所述元素形态硅。相对于所述衬里的处于所述最上部分下方的下部部分的不经历所述离子植入的所述元素形态硅,选择性地蚀刻所述衬里的所述最上部分的所述经离子植入的元素形态硅。使所述衬里的所述下部部分的所述元素形态硅与金属卤化物反应以形成所述竖向细长开口的下部部分中的元素形态金属,所述元素形态金属是来自所述金属卤化物的金属。在所述竖向细长开口中在所述元素形态金属顶上并且直接抵靠所述元素形态金属形成导电材料。本文公开了其它实施CN116034641A例,包含独立于方法的结构。CN116034641A权利要求书1/3页1.一种用于形成集成电路系统的导电通孔的方法,其包括:在竖向细长开口的侧壁上方侧向形成衬里,所述衬里包括元素形态硅;在所述竖向细长开口中离子植入所述衬里的最上部分的所述元素形态硅;相对于所述衬里的处于所述最上部分下方的下部部分的不经历所述离子植入的所述元素形态硅,选择性地蚀刻所述衬里的所述最上部分的所述经离子植入的元素形态硅;使所述衬里的所述下部部分的所述元素形态硅与金属卤化物反应以形成所述竖向细长开口的下部部分中的元素形态金属,所述元素形态金属是来自所述金属卤化物的金属;和在所述竖向细长开口中在所述元素形态金属顶上并且直接抵靠所述元素形态金属形成导电材料。2.根据权利要求1所述的方法,其包括在所述竖向细长开口的底部上方的中心形成所述元素形态硅,借此一开始形成的所述衬里具有向上敞开的容器形状。3.根据权利要求1所述的方法,其包括在其中收纳所述竖向细长开口的材料顶表面上方形成从所述竖向细长开口径向向外的所述衬里,所述离子植入进行到所述衬里的从所述竖向细长开口径向向外的那个部分的所述元素形态硅中,所述蚀刻移除所述衬里的从所述竖向细长开口径向向外的那个部分的所述元素形态硅。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述离子植入与竖直方向成角度,使得所述下部部分的所述元素形态硅不会经历所述离子植入。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述离子植入是竖直的。6.根据权利要求5所述的方法,其包括:在所述竖向细长开口的底部上方的中心形成所述元素形态硅,借此所述衬里具有向上敞开的容器形状,容器底部从容器侧壁径向向内收纳,所述容器底部包括所述元素形态硅;所述竖直离子植入也进行到所述衬里的所述下部部分的所述容器底部的所述元素形态硅中;且当蚀刻所述衬里的所述最上部分的所述经离子植入的元素形态硅时,蚀刻掉所述经离子植入的容器底部。7.根据权利要求1所述的方法,其中物质是As、Ge、Ar、In、Sb、和BF2中的至少一种。8.根据权利要求1所述的方法,其中所述蚀刻包括使用H3PO4。9.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属卤化物是氟化物和氯化物中的至少一种。10.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属是W、Mo、Nb、Ni、Co和Ta中的至少一种。11.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属卤化物包括WF6且所述元素形态金属是W。12.根据权利要求1所述的方法,其中所述导电材料包括直接抵靠所述元素形态金属的金属材料。13.根据权利要求12所述的方法,其中所述金属材料是所述元素形态金属。14.根据权利要求13所述的方法,其中所述竖向细长开口的所述下部部分中的所述元素形态金属和所述导电材料的所述元素形态金属是结晶体并且还有相对于彼此不同的结晶相。15.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬里在所述反应之后包括从所述元素形态金属径向向外并且直接抵靠所述元素形态金属的金属硅化物,所述金属硅化物的所述金属是2CN116034641A权利要求书2