内容提供者
用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf
2023-11-06
10金币
2.8MB
37页
mm****酱吖
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共37页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf
一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，堆叠包括竖直交替的包括除掺杂二氧化硅以外的材料的第一层和包括掺杂二氧化硅的第二层。堆叠包括横向间隔开的存储器块区。沟道材料串构造延伸穿过存储器块区中的第一层和第二层。沟道材料串构造个别地包括延伸穿过存储器块区中的第一层和第二层的沟道材料串。选择性地相对于第一层中的其它材料且选择性地相对于并暴露作为个别沟道材料串构造的一部分的电荷阻挡材料的含未掺杂二氧化硅的串蚀刻第二层中的掺杂二氧化硅。穿过第二层中因对掺杂二氧化硅的蚀刻而留下的空隙空间蚀刻含未掺杂
2023-11-06
10
2.8MB
用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf
一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括在衬底上形成堆叠的下部部分，所述堆叠将包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的成分。水平伸长线形成在最低第一层中且个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间。所述线包括具有与形成或将形成在所述最低第一层上方的所述第一层材料和形成或将形成在所述最低第一层上方的所述第二层材料不同的成分的牺牲材料。所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层形成在所述下部部分和所述线上方。沟道材料串形成为延伸穿
2023-11-07
10
3.1MB
集成电路系统、包括存储器单元串的存储器阵列、用于形成集成电路系统的方法和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf
本发明涉及一种用于形成集成电路系统的方法，其包括形成包括竖直交替的第一阶层和第二阶层的堆叠。所述堆叠在其中包括腔，所述腔包括阶梯结构。用绝缘体材料对所述腔的侧壁和所述阶梯结构的梯级进行加衬。在所述腔中从所述绝缘体材料径向地向内形成绝缘性材料。从所述腔移除所述绝缘性材料的上部部分以在所述腔的底部中在所述阶梯结构之上留下所述绝缘性材料。在所述移除之后，在所述腔中在所述绝缘性材料上方形成绝缘材料。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
2023-11-05
10
3.6MB
集成电路系统的导电通孔、包括存储器单元串的存储器阵列、形成集成电路系统的导电通孔的方法，以及形成包括存储器单元串的存储器.pdf
一种用于形成集成电路系统的导电通孔的方法包括在竖向细长开口的侧壁上方侧向形成衬里。所述衬里包括元素形态硅。在所述竖向细长开口中离子植入所述衬里的最上部分的所述元素形态硅。相对于所述衬里的处于所述最上部分下方的下部部分的不经历所述离子植入的所述元素形态硅，选择性地蚀刻所述衬里的所述最上部分的所述经离子植入的元素形态硅。使所述衬里的所述下部部分的所述元素形态硅与金属卤化物反应以形成所述竖向细长开口的下部部分中的元素形态金属，所述元素形态金属是来自所述金属卤化物的金属。在所述竖向细长开口中在所述元素形态金属顶上
2023-05-26
10
3.1MB
集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法.pdf
本申请涉及一种集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述第一层包括掺杂二氧化硅，且所述第二层包括未掺杂二氧化硅。将水平拉长的沟槽形成到所述堆叠中。穿过所述沟槽相对于所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅选择性地蚀刻所述第一层中的所述掺杂二氧化硅。传导材料形成于所述第一层中通过所述蚀刻而留下的空隙空间中。公开了独立于方法的结构。
2023-11-06
10
1.2MB