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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113862770A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202111140314.8C25D3/38(2006.01)(22)申请日2021.09.28G03F7/00(2006.01)(71)申请人北京航空航天大学杭州创新研究院地址310051浙江省杭州市滨江区长河街道创慧街18号(72)发明人邓元李冉冉张玮峰华小社(74)专利代理机构南京知识律师事务所32207代理人刘丰(51)Int.Cl.C25F5/00(2006.01)C25F7/00(2006.01)C23C14/35(2006.01)C23C14/18(2006.01)C23C14/16(2006.01)C25D7/12(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法(57)摘要本发明公开了一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极,其方法过程为:在表面绝缘基底上溅射导电种子层;在溅射完导电种子层电镀上金属膜;在金属膜表面旋涂光刻胶,采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案;采用退镀法进行处理,使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解,有光刻胶的部分被保留下来;退镀后进行超声清洗,去除光刻胶和金属碎屑残留物,得到图案化电极。本发明省去了湿法刻蚀环节,从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。CN113862770ACN113862770A权利要求书1/1页1.一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,包括以下步骤:在表面绝缘基底上溅射导电种子层;在溅射完的导电种子层电镀上金属膜;在金属膜表面旋涂光刻胶,采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案;采用退镀法进行处理,使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解,有光刻胶的部分被保留下来;退镀后进行超声清洗,去除光刻胶和金属碎屑残留物,得到图案化电极。2.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,所述表面绝缘基底为AlN基底、SiC基底或者表面有SiO2绝缘层的硅片基底。3.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,所述导电种子层为三层结构,分别为下方与表面绝缘基底直接接触的粘附金属层、上方的导热导电金属层以及粘附金属层和导热导电金属层之间的过渡金属层。4.如权利要求3所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,所述粘附金属层为Cr,所述导热导电金属层为Cu,所述过渡金属层为Ti。5.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,所述在溅射完导电种子层电镀上金属膜的过程为,将溅射完导电种子层的表面绝缘基底作为对电极,金属片作为工作电极,放入金属电解液中进行电镀,镀上金属膜。6.如权利要求5所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,所述金属包括铜、铬或钛。7.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,所述在金属膜表面旋涂光刻胶的方式是两段式匀胶,先用低转速匀胶,再用高转速匀胶。8.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,所述采用退镀法进行处理的方式为,将光刻出电极图案的表面绝缘基底作为工作电极,金属片作为对电极,放入金属电解液中,施加与电镀时相反的电流,进行退镀。9.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其特征在于,在退镀后采用丙酮进行超声清洗。10.一种图案化电极,其特征在于,采用如权利要求1~9任一所述的方法制备得到。2CN113862770A说明书1/4页一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法技术领域[0001]本发明涉及电极加工制造领域,具体涉及一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及图案化电极。背景技术[0002]目前,大面积生产厚膜图案化电极(电极厚度>10μm)大多采用电镀‑光刻‑湿法刻蚀的工艺流程。虽然该工艺能确保电极的图案精度,但流程步骤繁多,所需化学药品品类众多,湿法刻蚀金属膜的过程中会产生大量化学废液。废液直接排放会严重污染环境,废液处理又费时费力,增加生产成本。除此之外,湿法刻蚀所用刻蚀液大多含有腐蚀性较强的酸性和碱性溶液,在刻蚀金属的同时,也会对基底产生刻蚀,破坏基底表面晶体结构,粗糙度变大,进而可能会对器件性能造成严重影响。发明内容[0003]针对现有技术存在的缺点与不足,本发明的目的在于提供一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极,该方法省去了湿法刻蚀环节,从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。[0004]本发明公开的采用退镀工艺制备图案化电极的方法,其技术方案包括以下步骤:在表面绝缘基底上溅射导电种子层;在溅射完的导电种子层电镀上金属膜;在金属膜表面旋涂光刻胶,采用光刻法在金属膜表面