集成电路、集成电路系统的构造及形成阵列的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112424926A(43)申请公布日2021.02.26(21)申请号201980047177.8(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(22)申请日2019.04.03责任公司11287代理人王龙(30)优先权数据16/043,8692018.07.24US(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L27/02(2006.01)2021.01.14H01L27/06(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2019/0255092019.04.03(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/023087EN2020.01.30(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人G·卢加尼K·B·坎贝尔M·J·迪奇诺A·W·弗雷兹A·科甘K·R·谢伊权利要求书4页说明书12页附图38页(54)发明名称于在所述分析区中的所述第一特征之间留出与集成电路、集成电路系统的构造及形成阵列所述第一空间交替的第二空间的参考位置。揭示的方法独立于方法的结构。(57)摘要一种形成阵列的方法，其包括使用两种不同成分遮蔽材料形成具有彼此基本上相同的大小且彼此基本上相同的形状的间隔重复第一特征的图案。具有相较于所述第一特征的大小或形状不同的大小或不同的形状中的至少一者的图案中断第二特征在所述第一特征图案内且中断所述第一特征的图案。将所述第一特征的所述图案与所述图案中断第二特征平移到所述第一特征及所述图案中断第二特征下方的下衬底材料中。在所述平移期间或在所述平移之后中的至少一者移除所述下衬底材料上方的所述第一特征及所述图案中断第二特征的材料。在所述移除之后，使用所述下衬底材料中的所述图案中断第二特征作为估计所述两种不同成分遮蔽材料中的哪一者用于在所述下衬底材料上方的所述材料中的分析区中的所述第一特征之间留出第一空CN112424926A间或所述两种不同成分遮蔽材料中的哪一者用CN112424926A权利要求书1/4页1.一种形成阵列的方法，其包括：使用两种不同成分遮蔽材料形成具有彼此基本上相同的大小及基本上相同的形状的间隔重复第一特征的图案、相较于所述第一特征的大小或形状具有不同的大小或不同的形状中的至少一者且在所述第一特征的图案内且中断所述第一特征的图案的图案中断第二特征；将所述第一特征的所述图案与所述图案中断第二特征平移到所述第一特征及所述图案中断第二特征下方的下衬底材料中；在所述平移期间或在所述平移之后中的至少一者移除所述下衬底材料上方的所述第一特征及所述图案中断第二特征的材料；及在所述移除之后，使用所述下衬底材料中的所述图案中断第二特征作为估计所述两种不同成分遮蔽材料中的哪一者用于在所述下衬底材料上方的所述材料中的分析区中的所述第一特征之间留出第一空间或所述两种不同成分遮蔽材料中的哪一者用于在所述分析区中的所述第一特征之间留出与所述第一空间交替的第二空间的参考位置。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述两种不同成分中的一者包括光致抗蚀剂。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述两种不同成分中的另一者缺少光致抗蚀剂。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述两种不同成分中的一者沉积在另一者顶上，且所述方法进一步包括从所述另一者顶上无掩模各向异性地蚀刻所述一者。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一特征包括纵向伸长且平行的线。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述线中的两个横向紧邻者具有完全横向延伸跨所述两个横向紧邻线中的个别者且完全横向地在所述两个横向紧邻线之间的纵向间隙，所述图案中断第二特征包括所述纵向间隙。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述线中的两个横向紧邻者具有完全横向延伸跨所述两个横向紧邻线中的个别者且完全横向地在所述两个横向紧邻线之间的纵向间隙，下衬底材料桥横向延伸于所述两个横向紧邻线的纵向端之间且在所述纵向间隙的相对纵向端处使所述纵向端互连，所述图案中断第二特征包括所述下衬底材料桥。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述下衬底材料中的所述第一特征包括所述下衬底材料中的个别地具有所述下衬底材料的环绕水平周长的开口。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述图案中断第二特征包括所述下衬底材料中的具有大于所述第一特征的所述开口中的个别者的最大直线水平范围的最大直线水平范围的开口。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述平移包括蚀刻到所述下衬底材料中。11.一种形成包括图案的阵列的方法，其包括：形成包括光可成像材料的纵向伸长且横向间隔的平行掩模线，所述掩模线包括：(a)：掩模桥，其包括横向延伸于所述掩模线中的两个横向紧邻者之间且使所述两个横向紧邻者互连的所述光可成像材料，或(