用于制造冷却元件的方法和以这种方法制造的冷却元件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114128063A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202080050145.6蒂洛·费特阿克马克·戈特迪纳(22)申请日2020.07.07(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限(30)优先权数据公司11227102019118835.02019.07.11DE代理人周涛刘刚(85)PCT国际申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.2022.01.10H01S5/024(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2020/0690492020.07.07(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/005024DE2021.01.14(71)申请人罗杰斯德国有限公司地址德国埃申巴赫申请人通快光子学公司(72)发明人约翰内斯·维森德迈克尔·马赫尔海科·施魏格尔权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称用于制造冷却元件的方法和以这种方法制造的冷却元件(57)摘要本发明涉及一种用于制造用于电气构件或电子构件、尤其半导体元件的冷却元件(1)的方法，其中制成的冷却元件(1)具有冷却流体通道系统，在运行时，冷却流体可以贯穿所述冷却流体通道系统，所述方法包括：提供至少一个第一金属层(11)；在至少一个第一金属层(11)中实现至少一个留空部(21，22)；以及借助于至少一个留空部(21，22)构成冷却流体通道系统的至少一个子部段，其中至少一个第一金属层(11)中的至少一个留空部(21，22)的至少一个第一部分(21)通过腐蚀、尤其电火花腐蚀来实现。CN114128063ACN114128063A权利要求书1/2页1.一种用于制造用于电气构件或电子构件、尤其半导体元件的冷却元件(1)的方法，其中制成的冷却元件(1)具有冷却流体通道系统，在运行时，冷却流体能够贯穿所述冷却流体通道系统，所述方法包括：‑提供至少一个第一金属层(11)，‑在所述至少一个第一金属层(11)中实现至少一个留空部(21，22)，以及‑借助于所述至少一个留空部(21，22)构成所述冷却流体通道系统的至少一个子部段，其中所述至少一个第一金属层(11)中的至少一个留空部(21，22)的至少一个第一部分(21)通过腐蚀、尤其电火花腐蚀来实现。2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：‑提供至少一个第二金属层(12)，以及‑沿着堆叠方向(S)堆叠所述至少一个第一金属层(11)和所述至少一个第二金属层(12)以构成所述冷却流体通道系统的至少一个子部段。3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个第一金属层(11)中的至少一个留空部(21，22)的至少一个第二部分(22)通过蚀刻来实现。4.根据权利要求3所述的方法，其中用于构成所述至少一个第一金属层(11)中的至少一个留空部(21，22)的至少一个第二部分(22)的蚀刻在时间上在形成所述至少一个第一金属层(11)中的至少一个留空部(21，22)的至少一个第一部分(21)之前通过腐蚀来实现。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在制成状态中，所述至少一个留空部(21)的至少一个第一部分(21)具有相对置的侧壁，所述侧壁的间距(A1)低于第一阈值，和/或在所述制成状态中，所述至少一个留空部(22)的至少一个第二部分(22)具有相对置的侧壁，所述侧壁的间距(A1)高于第二阈值。6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中同时腐蚀多个第一金属层(11)。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述多个第一金属层(11)固定在张紧元件(40)中。8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个第一金属层(11)具有大于0.3mm、优选大于0.4mm和特别优选大于0.8mm的厚度。9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个第一金属层(11)和/或所述至少一个第二金属层(12)设置在下覆盖层(14)与上覆盖层(15)之间。10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中设有多于三个、优选多于五个和特别优选多于七个的第一金属层(11)和/或第二金属层(12)，所述第一金属层和/或所述第二金属层的厚度大于0.3mm。11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所有第一金属层(11)和/或第二金属层(12)具有大于0.3mm、优选大于0.4mm和特别优选大于0.8mm的厚度。12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中用于至少三个、优选至少五个和特别优选至少八个第一金属层(21)的至少一个留空部(21，22)的形状不同。13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个第一金属层(11)与至少第二金属层(12)连接，优选地通过烧结连接。14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中