侧墙的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114242576A(43)申请公布日2022.03.25(21)申请号202111541069.1(22)申请日2021.12.16(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号(72)发明人张振兴(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人郭四华(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)H01L21/311(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称侧墙的制造方法(57)摘要本发明公开了一种侧墙的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成需要形成侧墙的第一图形结构；步骤二、沉积第一介质层；步骤三、进行第一次横向刻蚀，第一次横向刻蚀对第一介质层的横向刻蚀速率大于纵向刻蚀速率，第一次横向刻蚀使第一图形结构侧面的第一介质层的宽度做第一次减薄；步骤四、进行第二次刻蚀，第二次刻蚀对第一介质层的纵向刻蚀速率大于横向刻蚀速率，第二次刻蚀将第一图形结构顶部表面以及第一图形结构外第一介质层都去除，第二次刻蚀还对第一图形结构侧面的第一介质层的宽度做第二次减薄并由保留在第一图形结侧面的第一介质层作为侧墙。本发明有利于制作小宽度的侧墙，能减少小步进的器件单元中的侧墙制作难度。CN114242576ACN114242576A权利要求书1/2页1.一种侧墙的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、在半导体衬底上形成需要形成侧墙的第一图形结构；步骤二、沉积第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述第一图形结构的顶部表面、侧面和所述第一图形结构外的所述半导体衬底表面；步骤三、进行第一次横向刻蚀，所述第一次横向刻蚀对所述第一介质层的横向刻蚀速率大于对所述第一介质层的纵向刻蚀速率，横向为和所述半导体衬底表面平行的方向，纵向为和所述半导体衬底表面垂直的方向；所述第一次横向刻蚀使所述第一图形结构侧面的所述第一介质层的宽度做第一次减薄；步骤四、进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀对所述第一介质层的纵向刻蚀速率大于对所述第一介质层的横向刻蚀速率，所述第二次刻蚀将所述第一图形结构顶部表面以及所述第一图形结构外的所述半导体衬底表面的所述第一介质层都去除，所述第二次刻蚀还对所述第一图形结构侧面的所述第一介质层的宽度做第二次减薄并由保留在所述第一图形结侧面的所述第一介质层作为所述侧墙；所述侧墙的宽度由所述第一次减薄和所述第二次减薄一起确定，通过所述第一次减薄减少所述第二次减薄的宽度，以防止所述第二次刻蚀对所述第一图形结构外的所述半导体衬底表面产生过度的过刻蚀。2.如权利要求1所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。3.如权利要求2所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第一图形结构包括栅极结构，所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和栅极导电材料层。4.如权利要求3所述的侧墙的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有多个所述第一图形结构，各所述第一图形结构之间具有第一间隔区。5.如权利要求4所述的侧墙的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述第一介质层的材料包括氧化层或氮化层。6.如权利要求5所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第一介质层为单一的氧化层或者为单一的氮化层。7.如权利要求6所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第一图形结构为闪存单元的栅极结构。8.如权利要求7所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第一间隔区的宽度小于120nm。9.如权利要求4或8所述的侧墙的制造方法，其特征在于：步骤二完成后，在所述第一间隔区内，两个相邻的所述第一图形结构的侧面的所述第一介质层之间形成第二间隔区，步骤三完成后，所述第二间隔区扩大，以有利于所述第二次刻蚀。10.如权利要求1或4或8所述的侧墙的制造方法，其特征在于：步骤三中，所述第一次横向刻蚀对所述第一介质层的纵向刻蚀速率为零，使所述第一图形结构顶部表面以及所述第一图形结构外的所述半导体衬底表面的所述第一介质层的厚度不变。11.如权利要求10所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第一次横向刻蚀采用偏压为0W的干法刻蚀。12.如权利要求1所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第一次减薄的宽度大于所述第二次减薄的宽度。2CN114242576A权利要求书2/2页13.如权利要求1所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第二次刻蚀采用干法刻蚀。14.如权利要求3所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述栅介质层包括栅氧化层。15.如权利要求3所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述栅极导电材料层包括多晶硅栅。3CN114242576A说明书1/5页侧墙的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种侧墙