沟槽栅的制造方法.pdf
一条****丹淑
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相关资料
沟槽栅的制造方法.pdf
本发明公开了一种沟槽栅的制造方法,包括:步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽。步骤二、形成第一氧化层,第一氧化层形成后需要使沟槽的顶部保持为开口状态。步骤三、沉积第二介质层,第二介质层形成后需要使沟槽的顶部开口封闭并在沟槽内部形成一个被第二介质层所包围的空腔。步骤四、对所述第二介质层进行第一次回刻将空腔外暴露的第二介质层去除且保证空腔顶部封口处的第二介质层保留。步骤五、以空腔周侧的第二介质层为掩膜对第一氧化层进行从顶部到底部的第二次刻蚀以形成栅极底部氧化层。步骤六、去除第二介质层。步骤七、进行栅氧化层的生长。
沟槽栅的制造方法.pdf
本发明公开了一种沟槽栅的制造方法,包括步骤:步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽;步骤二、形成第一氧化层;步骤三、根据沟槽的深宽比选用涂布层并形成将沟槽完全填充的涂布层;步骤四、采用干法刻蚀工艺对涂布层进行全面回刻;步骤五、以保留于沟槽底部的涂布层为掩膜进行第一氧化层的湿法刻蚀形成栅极底部氧化层;步骤六、去除涂布层;步骤七、进行栅氧化层的生长。本发明能采用较低成本实现BTO,从而能降低工艺成本;能在更小深宽比的沟槽中形成良好的BTO,从而能适用于各种深宽比的沟槽的BTO形成,从而具有较大的使用范围。
沟槽栅的制造方法.pdf
本发明公开了一种沟槽栅的制造方法,包括:步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽。步骤二、形成第一氧化层,第一氧化层形成后需要使沟槽的顶部保持为开口状态并在沟槽内包围处第二沟槽。步骤三、沉积第二介质层,第二介质层形成后需要使沟槽的顶部开口保持或封闭。步骤四、进行第一次化学机械研磨工艺使第二沟槽外第二介质层都去除,保留的所述第二介质层覆盖位于在所述第二沟槽的侧面和底部表面。步骤五、以保留的第二介质层为掩膜对第一氧化层进行从顶部到底部的第二次刻蚀以形成栅极底部氧化层。步骤六、去除第二介质层。步骤七、进行栅氧化层的生长
沟槽栅MOSFET器件的制造方法.pdf
公开了一种沟槽栅MOSFET器件的制造方法,包括:在衬底上形成外延层,衬底包括第一区域和第二区域;在外延层中形成沟槽;在第一区域的沟槽底部和外延层表面中形成第一阱区和体区;在外延层的表面和沟槽中形成第一绝缘层,第一绝缘层围绕沟槽形成空腔;在空腔中形成多晶硅层,去除多晶硅层的一部分暴露空腔的上部;对第一绝缘层回蚀刻,暴露沟槽上部;在沟槽上部侧壁表面和第一绝缘层与多晶硅层的上表面形成栅氧化层;在凹槽中形成栅极导体;在体区中形成源区。本申请的沟槽栅MOSFET器件的制造方法中,在第一区域的沟槽底部形成第一阱区的
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法.pdf
本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法,所述制造方法包括:提供一衬底,衬底上覆盖有垫氧化层;形成蚀刻阻挡层,覆盖垫氧化层;形成沟槽,且蚀刻阻挡层的蚀刻速率与垫氧化层的蚀刻速率之比为1.1:1~1:1;在沟槽中形成屏蔽栅结构;形成隔离材料层;以衬底的表面为研磨停止层执行研磨工艺,以暴露衬底的表面。本发明中,通过牺牲层填充部分深度的第一凹陷,且在蚀刻时蚀刻阻挡层的蚀刻速率等于或者略大于垫氧化层的蚀刻速率,可减少或避免沟槽侧壁的悬突问题。另外,还通过以衬底的表面作为研磨停止层,不需要额外设置研磨停止层,简化