内容提供者
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法.pdf
2023-05-26
10金币
568KB
16页
是立****92
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共16页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法.pdf
本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法,所述制造方法包括:提供一衬底,衬底上覆盖有垫氧化层;形成蚀刻阻挡层,覆盖垫氧化层;形成沟槽,且蚀刻阻挡层的蚀刻速率与垫氧化层的蚀刻速率之比为1.1:1~1:1;在沟槽中形成屏蔽栅结构;形成隔离材料层;以衬底的表面为研磨停止层执行研磨工艺,以暴露衬底的表面。本发明中,通过牺牲层填充部分深度的第一凹陷,且在蚀刻时蚀刻阻挡层的蚀刻速率等于或者略大于垫氧化层的蚀刻速率,可减少或避免沟槽侧壁的悬突问题。另外,还通过以衬底的表面作为研磨停止层,不需要额外设置研磨停止层,简化
2023-05-26
10
568KB
具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法.pdf
本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，包括步骤：第一外延层并光刻刻蚀形成沟槽；依次形成第一氧化层和第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行回刻得到多晶硅屏蔽栅；进行HDPCVD淀积第二氧化层将沟槽的顶部部分填充；进行氧化层的湿法回刻使沟槽中仅在多晶硅屏蔽栅的表面保留部分厚度的第二氧化层；进行HDPCVD淀积第三氧化层将沟槽的顶部进行无空洞完全填充；进行氧化层的湿法回刻形成由保留于多晶硅屏蔽栅表面的第二和三氧化层叠加的多晶硅间隔离氧化层；形成栅介质层；形成第二层多晶硅并组成多晶硅栅。本发明提高多晶硅
2023-11-19
10
1.1MB
具有屏蔽栅沟槽的半导体器件的制造方法.pdf
本发明提供了一种具有屏蔽栅沟槽的半导体器件的制造方法，在形成沟槽之后，在沟槽的内表面上形成刻蚀速率不同的第一氧化层和第二氧化层，并先将第二氧化层回刻蚀至要求高度，形成侧壁上保留有部分厚度的第一氧化层的回刻蚀槽，再进一步利用回刻蚀槽侧壁上的第一氧化层保护回刻蚀槽侧壁的衬底，并回刻蚀第一多晶硅层至第二氧化层的顶部以下，形成屏蔽栅，进而在去除回刻蚀槽侧壁上的第一氧化层之后，通过热氧化工艺一步形成栅间氧化层和栅氧化层，由此能够使得形成的栅间氧化层的顶面形貌相对平坦，且使得形成的栅氧化层相对较薄，避免了现有技术中一
2023-11-12
10
1.3MB
沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法.pdf
一种沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法，在半导体基底的沟槽内底部的设有厚氧化层，沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层，及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极，且在厚氧化层上方及多晶硅栅极下方设有第一限制部，及包覆第一限制部的第二限制部。透过第一限制部及第二限制部的存在，在后续工序中将保留第二限制部下方的厚氧化层，从而能降低工艺成本；能在更小深宽比的沟槽中形成良好的TBO(ThickBottomOxide)，从而能适用于各种深宽比的沟槽的TBO形成，从而具有较大的使用范围。
2023-11-07
10
1.4MB
屏蔽栅功率器件的制作方法以及屏蔽栅功率器件.pdf
本申请的实施例提出了一种屏蔽栅功率器件的制作方法和屏蔽栅功率器件。制作方法的步骤包括：提供衬底，衬底的一侧形成有外延片，在外延片上形成深沟槽，其中，深沟槽包括有源区和位于有源区两端的端部；在外延片的一侧表面和深沟槽的内壁生长场氧化层，并在深沟槽内填充第一多晶硅；在场氧化层的表面和第一多晶硅上形成氮化硅，并刻蚀位于有源区的氮化硅和一部分位于深沟槽的顶部的场氧化层，以形成栅沟槽，保留位于深沟槽端部的氮化硅和场氧化层；刻蚀位于深沟槽端部的氮化硅，保留位于深沟槽端部的场氧化层。本实施例在刻蚀栅沟槽和场氧化层时，能
2023-11-05
10
515KB