一种半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114334977A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202011081808.9(22)申请日2020.10.10(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号申请人真芯（北京）半导体有限责任公司(72)发明人郭炳容杨涛胡艳鹏卢一泓(74)专利代理机构北京兰亭信通知识产权代理有限公司11667代理人赵永刚(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L21/8242(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图7页(54)发明名称一种半导体器件及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一基底、层叠在基底上的第一绝缘叠层、层叠在第一绝缘叠层上的第二绝缘叠层。第一绝缘叠层中开设有第一接触孔，第一接触孔内从下向上填充有堆置接触塞，堆置接触塞未填满第一接触孔。第二绝缘叠层中开设有与第一接触孔连通的第二接触孔。还包括形成在第二绝缘叠层上方的下电极，下电极还向下依次延伸到第二接触孔及第一接触孔内与堆置接触塞接触。将形成在两个绝缘叠层上方的下电极还向下延伸到第一接触孔及第二接触孔内与保留的堆置接触塞接触，使与堆置接触塞接触的部分下电极形成一个类似锚的结构，对整个下电极进行支撑，防止整个下电极倾斜。增大下电极表面积，提高电容器电容。CN114334977ACN114334977A权利要求书1/2页1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；层叠在所述基底上的第一绝缘叠层，所述第一绝缘叠层中开设有第一接触孔；其中，所述第一接触孔内从下向上填充有堆置接触塞，且所述堆置接触塞未填满所述第一接触孔；层叠在所述第一绝缘叠层上的第二绝缘叠层，所述第二绝缘叠层中开设有与所述第一接触孔连通的第二接触孔；形成在所述第二绝缘叠层上方的下电极，且所述下电极还向下依次延伸到所述第二接触孔及所述第一接触孔内与所述堆置接触塞接触。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，延伸到所述第二接触孔及第一接触孔的孔壁的所述下电极沉积在所述第一接触孔及第二接触孔的孔壁上；延伸到所述堆置接触塞的上端面的所述下电极沉积在所述堆置接触塞的上端面上。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极的形状为筒状；其中，所述下电极的底壁沉积在所述堆置接触塞的上端面上；所述下电极的侧壁部分沉积在所述第一接触孔及第二接触孔的孔壁上，部分外露于第一接触孔及第二接触孔外。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述下电极的底壁、内侧壁、以及外露于所述第一接触孔及第二接触孔外部分的外侧壁上均形成有上电极、以及将所述下电极与上电极绝缘隔离的介质层。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述堆置接触塞的高度为h1，所述第一接触孔的高度为h2，其中，20％×h2≤h1≤80％×h2。6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上层叠绝缘层；在所述绝缘层中开设接触孔；所述接触孔内填充堆置接触塞、与所述堆置接触塞导电连接的着陆焊盘；去除所述着陆焊盘；从上向下去除部分所述堆置接触塞；在所述绝缘层的上方形成下电极，且所述下电极还向下延伸到所述接触孔内与保留的部分所述堆置接触塞接触。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述接触孔内填充堆置接触塞、与所述堆置接触塞导电连接的着陆焊盘具体为：在所述接触孔内填充堆置接触塞；在所述接触孔内填充与所述堆置接触塞接触的导体膜；在所述接触孔内填充与所述导体膜接触的着陆焊盘；在所述去除所述着陆焊盘之后，在从上向下去除部分所述堆置接触塞之前，所述制造方法还包括：去除所述导体膜。8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述去除着陆焊盘、导体膜及部分所述堆置接触塞具体为：采用湿法刻蚀或远程等离子体干法清洗工艺从上向下去除所述接触孔内的着陆焊盘、导体膜及部分所述堆置接触塞。9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述接触孔内填充堆置接触塞、与所2CN114334977A权利要求书2/2页述堆置接触塞导电连接的着陆焊盘之后，去除所述着陆焊盘之前，所述制造方法还包括：在所述绝缘层上层叠牺牲膜层；在所述牺牲膜层中开设与所述着陆焊盘连通的电容孔；所述在所述绝缘层的上方形成下电极，且所述下电极向下延伸到所述接触孔内与保留的部分所述堆置接触塞接触具体为：在所述电容孔及接触孔的孔壁、保留的部分所述堆置接触塞的上端面上均形成与保留的所述堆置接触塞接触的下电极。10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在所述电容孔及接触孔的孔壁、保留的部分所述堆置接触塞的上端面上均形成与保留的所述堆置接触塞接触的下电极具体为：在所述牺牲膜层表面、所述电容