一种半导体器件及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115547858A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202211258083.5(22)申请日2022.10.13(71)申请人中芯集成电路（宁波）有限公司地址315800浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢(72)发明人郭守伟刘孟彬(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336专利代理师高伟(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种半导体器件及其制造方法(57)摘要一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层中形成有金属焊垫，所述金属焊垫上形成有金属凸块，所述金属焊垫的边缘部分暴露在所述介质层和所述金属凸块外部；形成抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述金属焊垫的所述边缘部分；涂布光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光和显影，以得到覆盖所述金属凸块和所述金属焊垫的图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述介质层进行刻蚀；去除所述图案化的光刻胶层和所述抗反射层。本发明在执行光刻工艺前在金属焊垫上形成抗反射层，能够避免曝光过程中金属焊垫在非曝光区域反射光线，进而避免出现光刻胶残留。CN115547858ACN115547858A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层中形成有金属焊垫，所述金属焊垫上形成有金属凸块，所述金属焊垫的边缘部分暴露在所述介质层和所述金属凸块外部；形成抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述金属焊垫的边缘部分；涂布光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光和显影，以得到覆盖所述金属凸块和所述金属焊垫的图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述介质层进行刻蚀；去除所述图案化的光刻胶层和所述抗反射层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层包括负性光刻胶层。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行曝光和显影，包括：对所述金属焊垫和所述金属凸块所在的区域进行曝光，使曝光区域的所述负性光刻胶层改性；使用显影液溶解未曝光区域的所述负性光刻胶层，以得到所述图案化的光刻胶层。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗反射层包括碳层。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述抗反射层包括采用沉积工艺形成覆盖所述金属凸块、所述金属焊垫和所述介质层的所述抗反射层。6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀包括第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，所述第一刻蚀步骤去除未被所述图案化的光刻胶层覆盖的所述抗反射层，所述第二刻蚀步骤去除未被所述图案化的光刻胶层覆盖的所述介质层。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述图案化的光刻胶层和所述抗反射层，包括：采用湿法去胶工艺去除所述图案化的光刻胶层，采用灰化工艺去除被所述光刻胶层覆盖的所述抗反射层。8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属焊垫包括铝焊垫。9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属凸块包括金凸块。10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1‑9中任一项所述的方法制成。2CN115547858A说明书1/6页一种半导体器件及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术[0002]为了满足集成电路组件的高速处理化、多功能化、集成化、小型化以及低价化等多方面的需求，集成电路封装技术也需朝着轻微化、高密度化发展。对于高密度的集成电路封装而言，缩短配线的长度有助于提高信号的传递速度，因此凸块(Bump)的应用已成为高密度封装的主流。[0003]在采用凸块的半导体工艺中，形成互连结构之后，形成与互连结构中的顶层金属层电连接的金属焊垫，半导体器件通过顶层金属层与金属焊垫电连接；之后执行凸块制程，形成与金属焊垫电连接的金属凸块。形成金属凸块之后，在刻蚀制程中需要形成保护金属凸块的图案化的光刻胶，但在对光刻胶进行图案化工艺时，经常出现在窗口区域产生光刻胶残留的问题。发明内容[0004]在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。[0005]针对目前存在的问题，本发明实施例一方面提供一种半导体器件的制造方法，包括：[0006]提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层中形成有金属焊垫，所述金属焊垫上形成有金属凸块，所述