

基片处理系统和基片处理方法.pdf
一吃****新冬
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相关资料
基片处理系统和基片处理方法.pdf
本发明提供即使在处理单元中发生了异常的情况下,也能够减少废弃的基片的数量的技术。本发明的一个方式的基片处理系统包括:能够对基片实施同种的处理的多个处理单元;对多个处理单元进行基片的输送的输送装置;以及控制多个处理单元和输送装置的控制部。此外,控制部具有救济处理部、输送处理部和再救济处理部。救济处理部对在发生了异常的异常处理单元中正在处理的滞留基片,在异常处理单元中进行救济处理。输送处理部在异常处理单元中不能对滞留基片进行救济处理的情况下,基于预先设定的输送模式,将滞留基片从异常处理单元输送到另一处理单元。
基片处理装置和基片处理方法.pdf
本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括:作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘(21),其中,该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液;和气体供给部(40),其对由基片保持部保持的基片的表面的周缘部,供给温度比常温高的第1温度的第1气体(F1)。
基片处理装置和基片处理方法.pdf
本发明提供能够向贮存在处理槽中的处理液的内部稳定地释放气体的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、第1气体喷嘴组、第2气体喷嘴组和控制部。处理槽将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第1气体喷嘴组在处理槽的内部配置在比多个基片靠下方的位置,向贮存在处理槽中的处理液释放气体。第2气体喷嘴组靠近第1气体喷嘴组地配置,向贮存在处理槽中的处理液释放气体。控制部控制各部。控制部在多个基片被浸渍在处理液中而被处理时,从第1气体喷嘴组和第2气体喷嘴组中的一个气体喷嘴组向处理液释放气体。控制部在检测
基片处理装置和基片处理方法.pdf
本发明说明基片处理装置和基片处理方法,其在利用多种处理液的液处理部中进行基片处理时能够抑制从液处理部排出的排气流入与该排气所对应的独立排气管不同的独立排气管。基片处理装置包括:将种类不同的多个处理液分别供给到基片的表面的液处理部;和将从液处理部排出的排气排出到外部的排气部。排气部包括:包含第一部分和第二部分的主排气管;第一独立排气管;第二独立排气管;切换部;以及外气导入部。切换部包括:第一切换机构;第二切换机构;配置于主排气管中的第一部分与第二部分之间的第三切换机构;与第二部分连接以将外气导入第二部分的外
基片处理方法和基片处理装置.pdf
本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理液浸曝光后的、表面具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的基片处理方法和基片处理装置中,与处理前的基片表面的接触角的大小无关地,能够使得用于液浸曝光的水、清洗液在处理后不残留在基片的表面。基片处理方法包括:对液浸曝光处理后的、具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的表面,供给水溶性聚合物的溶液的工序;用供给的水溶性聚合物的溶液,使抗蚀剂膜的表面亲水化的工序;在亲水化的工序后,一边使基片旋转,一边对基片的表面供给清洗液,将对亲水化没有贡献的水溶性聚合物的水溶液除去的工序;和使被供给