半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114561630A(43)申请公布日2022.05.31(21)申请号202111415512.0(22)申请日2021.11.25(30)优先权数据2020-1968162020.11.27JP(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都(72)发明人花岛建夫原田和宏(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256专利代理师牛蔚然(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/36(2006.01)权利要求书3页说明书16页附图5页(54)发明名称半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置(57)摘要本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。提供能够使衬底上形成的膜的阶差被覆性、衬底面内膜厚均匀性提高的技术。具有通过将包括下述(a)和(b)的循环进行规定次数从而在上述衬底上形成膜的工序，(a)从原料气体供给管线向收容有衬底(其表面设置有凹部)的处理室内供给原料气体工序，(b)向收容有衬底的处理室内供给反应气体的工序，在(a)中，分多次向衬底供给原料气体，在最初供给原料气体时，将原料气体预先填充于设置在原料气体供给管线上的贮留部内之后再向处理室内供给，在第2次以后的原料气体的供给前，将处理室内排气。CN114561630ACN114561630A权利要求书1/3页1.半导体器件的制造方法，其具有通过将包括下述(a)和(b)的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：(a)从原料气体供给管线向收容有所述衬底的处理室内供给原料气体的工序；和(b)向收容有所述衬底的所述处理室内供给反应气体的工序，在(a)中，分多次向所述衬底供给所述原料气体，在最初供给所述原料气体时，将所述原料气体预先填充于设置在所述原料气体供给管线的贮留部内之后再向所述处理室内供给，在第2次以后的所述原料气体的供给前，将所述处理室内排气。2.如权利要求1所述的方法，其中，作为所述原料气体，使用至少在所述处理室内产生具有多个未连接键的第1中间体、以及具有1个未连接键或不具有未连接键的第2中间体的气体，在(a)中，在最初供给所述原料气体时，将预先填充于所述贮留部内的所述原料气体的量设为使得在所述衬底的表面整个区域吸附所述第1中间体所需的量以上的量。3.如权利要求1所述的方法，其中，将所述循环进行2次以上，在(a)中，在最初供给所述原料气体时，使预先填充于所述贮留部内的所述原料气体的量在每个所述循环中为恒定的量。4.如权利要求1所述的方法，其中，作为所述原料气体，使用至少在所述处理室内产生具有多个未连接键的第1中间体、以及具有1个未连接键或不具有未连接键的第2中间体的气体，在(a)中，在最初供给所述原料气体时，将所述处理室内的压力设为成为在所述衬底的表面整个区域吸附所述第1中间体所需的压力以上的规定压力。5.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)中，在所述处理室内的压力达到所述规定压力之后，结束所述原料气体向所述处理室内的供给，开始所述处理室内的排气。6.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)中，使最初供给所述原料气体时的所述原料气体的供给时间比第2次以后供给所述原料气体时的所述原料气体的供给时间短。7.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)中，在最初供给所述原料气体时，在使对所述处理室内的气氛进行排气的排气系统全闭的状态下，向所述处理室内供给所述原料气体。8.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)中，在最初供给所述原料气体时，在使对所述处理室内的气氛进行排气的排气系统全开的状态下，向所述处理室内供给所述原料气体。9.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)中，在最初供给所述原料气体时，将对所述处理室内的气氛进行排气的排气系统设为全开与全闭之间的状态。10.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)中，在第2次以后供给所述原料气体时，将所述原料气体以未预先填充于所述贮留部内的方式向所述处理室内供给。11.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)中，在所述原料气体向所述衬底的吸附达到饱和状态之前，结束第2次以后供给所述原料气体时的所述原料气体的供给。12.如权利要求1所述的方法，其中，作为所述原料气体，使用至少在所述处理室内产生具有多个未连接键的第1中间体、以及具有1个未连接键或不具有未连接键的第2中间体的气体，在所述第1中间体吸附于所述衬底之后、且所述第2中间体吸附于所述衬底之前，结束第2次以后供给所述原料气体时的所述原料气体的供给。2CN114561630A权利要求书2/3页13.如权利要求1所述的方法，其中，将所述循环进行2次以上，在第2次以后的循环中，将所述原料气体