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衬底处理方法、衬底处理装置、记录介质及半导体器件的制造方法.pdf
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鹏飞****可爱
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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置.pdf
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。在使用经等离子体激发的含氧气体对在衬底上形成的硅膜和硅氮化膜进行氧化时,将上述膜选择性地氧化而形成氧化层。包括(a)将包含氧及氢的处理气体进行等离子体激发而生成反应种的工序;(b)将反应种供给至衬底,将分别露出于衬底之上而形成的硅膜及硅氮化膜的表面进行氧化的工序,其中,处理气体中所含的氧与氢的比率被以下述方式进行了调节,即,使得在(b)中,将硅氮化膜的表面氧化而形成的第2氧化层的厚度相对于将硅膜的表面氧化而形成的第1氧化层的厚度而言的比
2023-05-09
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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置.pdf
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。提供能够使衬底上形成的膜的阶差被覆性、衬底面内膜厚均匀性提高的技术。具有通过将包括下述(a)和(b)的循环进行规定次数从而在上述衬底上形成膜的工序，(a)从原料气体供给管线向收容有衬底(其表面设置有凹部)的处理室内供给原料气体工序，(b)向收容有衬底的处理室内供给反应气体的工序，在(a)中，分多次向衬底供给原料气体，在最初供给原料气体时，将原料气体预先填充于设置在原料气体供给管线上的贮留部内之后再向处理室内供给，在第2次以后的原料气体的
2023-11-06
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衬底处理方法、衬底处理装置、记录介质及半导体器件的制造方法.pdf
本发明涉及衬底处理方法、衬底处理装置、记录介质及半导体器件的制造方法。本发明能够提高蚀刻的控制性。其具有:(a)向配置于处理容器内的形成有含第14族元素的膜的衬底,以使得通过与形成于衬底上的膜中所含的第14族元素的反应而产生的反应副产物饱和吸附于衬底的方式供给包含第14族元素的第1气体的工序;(b)在(a)之后供给包含卤素的第2气体的工序;和(c)通过将(a)与(b)交替地重复进行,从而对形成于衬底上的含第14族元素的膜进行蚀刻的工序。
2023-04-17
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半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质.pdf
包括通过进行规定次数的包括如下工序的循环而在衬底上形成膜的工序，所述循环包括如下工序：对处理室内的衬底供给原料气体；将残留于处理室内的原料气体排出；对处理室内的衬底供给反应气体；将残留于处理室内的反应气体排出，在供给原料气体的工序中，在实质上停止了处理室内的排气的状态下，向处理室内供给原料气体，其后，在实质上停止了处理室内的排气及原料气体的供给的状态下，向处理室内供给惰性气体。
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衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf
本发明提供一种结构，具有：处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制：在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上
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