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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置.pdf

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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。在使用经等离子体激发的含氧气体对在衬底上形成的硅膜和硅氮化膜进行氧化时,将上述膜选择性地氧化而形成氧化层。包括(a)将包含氧及氢的处理气体进行等离子体激发而生成反应种的工序;(b)将反应种供给至衬底,将分别露出于衬底之上而形成的硅膜及硅氮化膜的表面进行氧化的工序,其中,处理气体中所含的氧与氢的比率被以下述方式进行了调节,即,使得在(b)中,将硅氮化膜的表面氧化而形成的第2氧化层的厚度相对于将硅膜的表面氧化而形成的第1氧化层的厚度而言的比率成为规定的厚度比率。