衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105981135A(43)申请公布日2016.09.28(21)申请号201580007784.3(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所(22)申请日2015.03.2511256代理人陈伟(30)优先权数据2014-0640692014.03.26JP(51)Int.Cl.H01L21/302(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/3065(2006.01)2016.08.09H01L21/31(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L21/683(2006.01)PCT/JP2015/0590862015.03.25C23C16/44(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2015/147038JA2015.10.01(71)申请人株式会社日立国际电气地址日本东京都(72)发明人柳泽爱彦野内英博权利要求书2页说明书15页附图5页(54)发明名称述处理室外。衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质(57)摘要本发明提供一种结构，具有：处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制：在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上述处理气体，在供给了上述处理气体后，将上述非活性气体从上述衬底的上部向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动CN105981135A至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上CN105981135A权利要求书1/2页1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对至少表面的一部上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置所述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向所述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向所述衬底供给，其中该非活性气体用于将所述处理气体向所述处理室外排出；排气部，其为了对所述处理气体及所述非活性气体进行排气而设在所述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对所述升降机构、所述第1气体供给系统及所述第2气体供给系统进行控制：在调整了所述衬底载置部的高度和所述排气部的高度的状态下，供给所述处理气体，并在供给了所述处理气体后，将所述非活性气体从所述衬底的上方向所述衬底的中心部供给，使所述非活性气体在所述衬底的表面上从所述衬底的中心部呈放射状流动至所述衬底的端部，经由所述排气部被排出到所述处理室外。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，构成为，所述第1气体供给系统从所述衬底的上部呈喷洒状供给所述处理气体，所述第2气体供给系统从所述衬底的中心侧供给所述非活性气体。3.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步构成为，具有对所述衬底进行加热的加热部，所述加热部将所述衬底加热到比室温高的温度。4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，构成为，所述加热部使所述衬底成为副产物或残渣的升华温度以上的温度。5.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第1气体供给系统与设在所述衬底的上部的气体供给部连接，所述第1气体供给系统构成为从设在所述气体供给部的整面上的孔供给处理气体，所述第2气体供给系统构成为从所述衬底的中心侧供给非活性气体。6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步构成为，在所述处理室内设有支承所述衬底的支承销，所述第1气体供给系统在将所述衬底载置到所述衬底载置部上的状态下供给所述处理气体，所述第2气体供给系统在由所述支承销支承着所述衬底的状态下供给所述加热后的非活性气体。7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，构成为，所述排气部包含：对从所述处理室排出的气体的流量进行节流的节流部、和形成为了供从节流部导入的气体流动而设置的流路的环状路。8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述处理气体是从由氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、五氟化碘(IF5)、七氟化碘(IF7)、三氟化溴(BrF3)、五氟化溴(BrF5)、二氟化氙(XeF2)、三氟化氯(ClF3)构成的组中选择的一种以上的含卤族元素的气体。9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：对将至少表面的一部上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中并载置所述衬底的衬底载置部