半导体器件的制作方法以及半导体器件.pdf
夏萍****文章
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半导体器件的制作方法以及半导体器件.pdf
本申请提供了一种半导体器件的制作方法,该方法包括:首先,提供第一基底以及第二基底,第二基底包括第二衬底层,第一基底包括依次层叠的第一衬底层、第一预备顶层硅层以及埋氧层,第一基底还包括沟槽,沟槽从埋氧层贯穿至第一预备顶层硅层中;然后,以埋氧层以及第二衬底层作为键合界面,对第一基底以及第二基底进行键合,并去除第一衬底层,得到初始半导体器件;最后,采用GAA技术处理初始半导体器件,得到最终半导体器件。沟槽从埋氧层贯穿至第一预备顶层硅层中,且在键合之前可以控制沟槽的位置以及形状,保证了可以在形成GAA结构之前获得
半导体器件的制作方法以及半导体器件.pdf
本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件,该方法包括:提供预备基底,预备基底包括衬底以及位于衬底上的栅极;形成步骤,在预备基底的裸露表面上形成第一介质层;去除步骤,至少去除衬底的水平表面上以及栅极的水平表面上的第一介质层,剩余的第一介质层形成位于栅极两侧的子侧墙,得到基底;循环步骤,依次进行形成步骤以及去除步骤至少一次,直到栅极两侧的第一侧墙的在水平方向上的厚度达到预定厚度,第一侧墙由多个子侧墙构成,水平方向与基底的厚度方向垂直;对第一侧墙两侧的衬底进行离子注入,形成轻掺杂源区和/或轻掺杂漏区。
半导体器件的制作方法、半导体器件以及DRAM.pdf
本公开提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及DRAM,该方法包括:提供基底,基底包括衬底、多个第一电极结构以及填充结构,多个第一电极结构间隔地位于衬底上,填充结构填充在任意相邻的两个第一电极结构之间,且使得至少部分第一电极结构远离衬底一端的侧壁裸露,以形成多个第一凹槽;在部分第一凹槽中形成第一支撑部,其中,支撑区域的表面积小于开口区域的表面积,支撑区域为所有的第一支撑部覆盖填充结构的区域,开口区域为所有的第一支撑部未覆盖填充结构的区域;去除形成有第一支撑部的基底中的填充结构。本公开保证了可以尽可能
半导体器件以及制造半导体器件的方法.pdf
本发明是关于一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包含:衬底;第一氮化物半导体层,位于所述衬底上方;第二氮化物半导体层,位于所述第一氮化物半导体层上方,且具有大于所述第一氮化物半导体者的能隙,所述第二氮化物半导体层包含第一经掺杂区域和第一本征区域;源极接触及漏极接触,位于所述第二氮化物半导体层上方;栅极结构,位于所述第二氮化物半导体层上方和所述源极接触和所述漏极接触之间,所述栅极结构包含第三氮化物半导体层和位于其上方的栅极接触;以及,第四氮化物半导体层,位于所述第二氮化物半导体层上方和所述
半导体器件的制作方法和半导体器件.pdf
本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件,所述制作方法包括:提供一器件中间体,所述器件中间体包括:衬底、形成在所述衬底中的有源结构、形成在衬底上方的栅极结构以及形成在相邻两个栅极结构之间的第一介质层;其中,所述栅极结构包括伪栅极和抵接所述伪栅极两侧的栅极侧墙,所述栅极侧墙包括:伪侧墙和抵接所述伪侧墙两侧的预设第一侧墙,所述伪侧墙的上表面高于所述预设第一侧墙的上表面;移除所述伪侧墙,以形成第一开口并暴露预设第一侧墙的内壁;在所述预设第一侧墙和所述第一开口上方形成侧墙盖帽,以覆盖所述第一开口形成空气间隔