半导体器件的制作方法、半导体器件以及DRAM.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115084036A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210655626.0(22)申请日2022.06.10(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人金旭日王文峰(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240专利代理师霍文娟(51)Int.Cl.H01L21/8242(2006.01)H01L27/108(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图10页(54)发明名称半导体器件的制作方法、半导体器件以及DRAM(57)摘要本公开提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及DRAM，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、多个第一电极结构以及填充结构，多个第一电极结构间隔地位于衬底上，填充结构填充在任意相邻的两个第一电极结构之间，且使得至少部分第一电极结构远离衬底一端的侧壁裸露，以形成多个第一凹槽；在部分第一凹槽中形成第一支撑部，其中，支撑区域的表面积小于开口区域的表面积，支撑区域为所有的第一支撑部覆盖填充结构的区域，开口区域为所有的第一支撑部未覆盖填充结构的区域；去除形成有第一支撑部的基底中的填充结构。本公开保证了可以尽可能完整地去掉填充结构，避免了由于填充结构残留造成的器件失效问题。CN115084036ACN115084036A权利要求书1/3页1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、多个第一电极结构以及填充结构，多个所述第一电极结构间隔地位于所述衬底上，所述填充结构填充在任意相邻的两个所述第一电极结构之间，且使得至少部分所述第一电极结构远离所述衬底一端的侧壁裸露，以形成多个第一凹槽；在部分所述第一凹槽中形成第一支撑部，其中，支撑区域的表面积小于开口区域的表面积，所述支撑区域为所有的所述第一支撑部覆盖所述填充结构的区域，所述开口区域为所有的所述第一支撑部未覆盖所述填充结构的区域；去除形成有所述第一支撑部的基底中的所述填充结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：提供衬底，所述衬底包括多个间隔的电容触点，所述电容触点的表面形成所述衬底的部分表面；在所述衬底的表面上依次叠置第一填充层、第一支撑层以及第二填充层；在所述第二填充层远离所述第一支撑层的表面上形成第一掩膜结构，并以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀形成贯穿所述第二填充层、所述第一支撑层以及所述第一填充层的多个第二凹槽，所述第二凹槽一一对应地暴露所述电容触点；去除所述第一掩膜结构并在多个所述第二凹槽中填充电极材料，形成多个所述第一电极结构；回刻部分所述第二填充层，以使得至少部分所述第一电极结构远离所述衬底一端的侧壁裸露，形成多个所述第一凹槽，剩余的第二填充层以及剩余的第一填充层形成所述填充结构，剩余的第一支撑层形成第二支撑部。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除形成有所述第一支撑部的基底中的所述填充结构，包括：沿所述开口区域依次去除所述剩余的第二填充层、预定支撑部以及所述剩余的第一填充层，其中，所述预定支撑部为与所述第一支撑部在所述衬底上的投影不重合的所述第二支撑部。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，回刻部分所述第二填充层，以使得至少部分所述第一电极结构远离所述衬底一端的侧壁裸露，形成多个所述第一凹槽，包括：在所述第二填充层和所述第一电极结构共同构成的表面上形成第二掩膜结构，所述第二掩膜结构的图形至少暴露部分第二填充层；以所述第二掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第二填充层，以形成多个所述第一凹槽，所述第一凹槽暴露所述第一电极结构侧壁；去除所述第二掩膜结构。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜结构包括沿远离所述第二填充层的方向依次叠置的负性光刻胶以及第一图形化掩膜。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽使得部分所述第一电极结构远离所述衬底一端的侧壁裸露，所述填充结构远离所述衬底且与所述第一电极结构齐平的表面为预定表面，在部分所述第一凹槽中形成第一支撑部，包括：在各所述第一凹槽中、所述预定表面上以及所述第一电极结构远离所述衬底的表面上，依次叠置第二支撑层以及第三掩膜结构，所述第二支撑层远离所述第一电极结构的表2CN115084036A权利要求书2/3页面为平面；以所述第三掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第二支撑层，使得所述第一电极结构远离所述衬底的表面以及所述预定表面裸露，剩余的所述第二支撑层形成所述第一支撑部，所述第一支撑部远离所述衬底的表面高于所述预定表面。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在各所述第一凹槽中、所述预定表面上以及所述第一电极结构远离所述衬底的表面上叠置第二支撑层，包括