界定不同光阻图案的双重显影方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114967373A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202111534539.1G03F7/004(2006.01)(22)申请日2021.12.15G03F7/38(2006.01)G03F7/16(2006.01)(30)优先权数据17/178,9692021.02.18US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人叶永全陈任和(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师黄艳(51)Int.Cl.G03F7/26(2006.01)G03F7/30(2006.01)G03F7/32(2006.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图17页(54)发明名称界定不同光阻图案的双重显影方法(57)摘要本公开提供一种界定不同光阻图案的双重显影方法。该双重显影方法包含：提供一基底，该基底包括一周围区以及一阵列区，该阵列区邻近该周围区；使用一双型光阻而形成一光阻层在该基底上；通过一第一光遮罩而将该光阻层曝光到辐射，以界定出一第一图案在该周围区中；使用一正型显影剂显影该光阻层，以形成一第一图案在该周围区中以及形成该光阻层的一余留未曝光部分在该阵列区中；通过一第二光遮罩将在该周围区中的该第一图案与在该阵列区中的该光阻层曝光到辐射，以界定出一第二图案；以及使用一负型显影剂显影在该阵列区中的该光阻层，以形成一第二图案在该阵列区中。CN114967373ACN114967373A权利要求书1/1页1.一种界定不同光阻图案的双重显影方法，包括：提供一基底，该基底包括一周围区以及一阵列区，该阵列区邻近该周围区；使用一双型光阻而形成一光阻层在该基底上；通过一第一光遮罩而将该光阻层曝光到辐射，以界定出一第一图案在该周围区中；使用一正型显影剂显影该光阻层，以形成一第一图案在该周围区中以及形成该光阻层的一余留未曝光部分在该阵列区中；通过一第二光遮罩将在该周围区中的该第一图案与在该阵列区中的该光阻层曝光到辐射，以界定出一第二图案；以及使用一负型显影剂显影在该阵列区中的该光阻层，以形成一第二图案在该阵列区中；其中该第一图案与该第二图案是不同的，其中该第一图案在该第二光遮罩下大致为光可穿透。2.如权利要求1所述的双重显影方法，还包括通过脱水及烘烤而减少或消除在该基底的一表面上湿气，以预处理该基底。3.如权利要求1所述的双重显影方法，还包括施加一化合物到该基底的一表面，该化合物选自六甲基二硅氮烷、三甲基甲硅烷基二乙胺及其组合。4.如权利要求1所述的双重显影方法，其中该基底为一硅基底、一锗基底、一硅锗基底、一蓝宝石上覆硅基底、一石英上覆硅基底、一绝缘体上覆硅基底、一III‑V族化合物材料或是其组合。5.如权利要求1所述的双重显影方法，其中通过将该双型光阻旋转涂布在该基底上以实现形成一光阻层在该基底上的步骤。6.如权利要求1所述的双重显影方法，其中该双型光阻包括一光阻，取决于所使用的显影溶剂的选择，该光阻可用于产生正型或负型浮雕图案。7.如权利要求1所述的双重显影方法，其中该双型光阻包括的一光阻。8.如权利要求1所述的双重显影方法，还包括在使用一正型显影剂而显影该光阻层以形成一第一图案的步骤之前，软烘烤该光阻层。9.如权利要求1所述的双重显影方法，其中该正型显影剂包括四甲基氢氧化铵的水溶液。10.如权利要求1所述的双重显影方法，其中该负型显影剂包括乙酸正丁酯的有机溶液。11.如权利要求1所述的双重显影方法，还包括在通过一第一光遮罩将该光阻层曝光到辐射以界定一第一图案在该周围区中的步骤之后，执行该基底的一曝光后烘烤步骤。12.如权利要求1所述的双重显影方法，还包括在通过一第二光遮罩将在该周围区中的该第一图案以及在该阵列区中的该光阻层曝光到辐射的步骤之后，执行该基底的一曝光后烘烤步骤。2CN114967373A说明书1/7页界定不同光阻图案的双重显影方法技术领域[0001]本申请案主张2021年2月18日申请的美国正式申请案第17/178,969号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。[0002]本公开关于一种半导体元件的制备方法。特别涉及一种使用双重显影方法以界定不同电阻图案的半导体元件的制备方法。背景技术[0003]集成电路(IC)的制造涉及一些工艺，其通常可归类为沉积、图案化以及掺杂。由于这些工艺的使用，所以可建立具有各式不同元件的多个复杂结构，以形成一半导体元件的复杂电路。[0004]微影(光刻，Lithography)广泛应用于IC制造，其中各种IC图案被转移到一基底上以形成一半导体元件。一微影工艺可包含形成一光阻(光刻胶)层在一基底上；将该光阻层曝光到辐射(radiation)；以