改善光阻显影均匀性的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113391528A(43)申请公布日2021.09.14(21)申请号202010166105.X(22)申请日2020.03.11(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230001安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人汪磊(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人孙佳胤陈丽丽(51)Int.Cl.G03F7/30(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称改善光阻显影均匀性的方法(57)摘要本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善光阻显影均匀性的方法。所述改善光阻显影均匀性的方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底表面涂覆有光阻层，所述光阻层包括第一区域以及环绕所述第一区域外周分布的第二区域；传输显影液至所述第二区域，对位于所述第二区域的所述光阻层进行显影；传输显影液至所述第一区域，对位于所述第一区域的所述光阻层进行显影。本发明避免了显影液自中心流向边缘的过程中由于显影能力降低导致的边缘显影不彻底的问题，确保了所述光阻层整体显影的均匀性，避免了边缘区域的光阻层残留，确保了后续制程的顺利进行，改善了半导体结构的性能。CN113391528ACN113391528A权利要求书1/1页1.一种改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底，所述基底表面涂覆有光阻层，所述光阻层包括第一区域以及环绕所述第一区域外周分布的第二区域；传输显影液至所述第二区域，对位于所述第二区域的所述光阻层进行显影；传输显影液至所述第一区域，对位于所述第一区域的所述光阻层进行显影。2.根据权利要求1所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，传输显影液至所述第二区域之前，还包括如下步骤：清洗所述第二区域。3.根据权利要求1所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，还包括如下步骤：提供一用于喷射显影液的第一喷嘴；控制所述第一喷嘴向所述第二区域喷射第二剂量的所述显影液，对位于所述第二区域的所述光阻层进行显影；控制所述第一喷嘴向所述第一区域喷射第一剂量的所述显影液，对位于所述第一区域的所述光阻层进行显影，且所述第一剂量大于所述第二剂量。4.根据权利要求3所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，所述第一喷嘴以第二流速向所述第二区域喷射所述显影液、并持续第二时间；所述第一喷嘴以第一流速向所述第一区域喷射所述显影液、并持续第一时间，所述第一流速大于所述第二流速，且所述第一时间大于所述第二时间。5.根据权利要求1所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，还包括如下步骤：传输显影液至所述第二区域的同时，驱动所述基底围绕其轴线以第二转速自转；传输显影液至所述第一区域的同时，驱动所述基底围绕其轴线以第一转速自转，且所述第一转速大于所述第二转速。6.根据权利要求5所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，所述第二转速为50rpm～200rpm，所述第一转速为100rpm～300rpm。7.根据权利要求5所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，对位于所述第一区域的所述光阻层进行显影之后，还包括如下步骤：传输清洗液至所述第一区域的中心，并同时驱动所述基底围绕其轴线旋转，除去所述光阻层表面残留的所述显影液。8.根据权利要求7所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，在传输清洗液至所述第一区域的中心的过程中，所述基底围绕其轴线以第三转速自转，所述第三转速大于所述第一转速。9.根据权利要求8所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，除去所述光阻层表面残留的所述显影液之后，还包括如下步骤：驱动所述基底围绕其轴线以第四转速自转，除去所述基底表面残留的所述清洗液，且所述第四转速大于所述第三转速。10.根据权利要求1所述的改善光阻显影均匀性的方法，其特征在于，所述第一区域为圆形形状，所述第二区域为环绕所述第一区域的环形形状；所述第二区域朝向所述第一区域一侧的边缘距离所述第一区域的中心的距离为80mm～120mm。2CN113391528A说明书1/6页改善光阻显影均匀性的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善光阻显影均匀性的方法。背景技术[0002]目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外，在其上制造IC的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。[0003]动态随机存储器(DynamicRa