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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112462579A(43)申请公布日2021.03.09(21)申请号202011362231.9(22)申请日2020.11.27(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人陈恩龙付嵛朱祎明(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人焦天雷(51)Int.Cl.G03F7/30(2006.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法和监控系统(57)摘要本发明公开了一种晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法,包括:周期性对显影LD型喷头触发自动光学检测;通过自动光学检测判断LD型喷头是否发生污染,若未发生污染则机台正常生产;若发生污染则触发LD型喷头清洁;清洁后再次进行自动光学检测,判断是否发生污染,如未发生污染则触发机台生产,否则重新执行清洁直自动光学检测无污染。本发明还公开了一种晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控系统。本发明将现有技术的事后监控反向推导获取晶圆线状光阻缺陷残留的方案改进为事前主动监控LD型喷头污染,能主动发现线状光阻缺陷残留产生的源头,事前进行清洁最大限度的避免线状光阻缺陷残留,进而避免非必要的浪费,提高良品率。CN112462579ACN112462579A权利要求书1/2页1.一种晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法,其特征在于,包括:S1,周期性对显影LD型喷头触发自动光学检测;S2,通过自动光学检测判断LD型喷头是否发生污染,若未发生污染则机台正常生产;S3,若发生污染则触发LD型喷头清洁;S4,清洁后再次进行自动光学检测,判断是否发生污染,如未发生污染则触发机台生产,否则重新执行清洁直自动光学检测无污染。2.如权利要求1所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法,其特征在于:若执行三次以上LD型喷头清洁后仍检测到污染则触发报警,人工复查。3.如权利要求1所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法,其特征在于:若执行所述晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法的总时长大于预设阈值,则触发报警,人工复查。4.如权利要求1-3任意一项所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法,其特征在于:其适用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、32nm、28nm、65nm以及22nm以下工艺半导体生产机台的真空腔体晶圆传送结构。5.如权利要求1-3任意一项所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法,其特征在于:其适用于逻辑半导体器件、存储半导体器件、射频半导体器件、模拟半导体器件、MEMS、CIS、Flash和eFlash工艺半导体生产机台的真空腔体晶圆传送结构。6.一种晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控系统,其集成于半导体生产机台,其特征在于,包括:自动光学检测单元,其设置在LD型喷头旁侧,其用于检测LD型喷头是否发生污染;检测控制单元,其用于控制自动光学检测单元周期性对LD型喷头执行检测,其根据自动光学检测单元检测结构决定是否触发LD型喷头清洁;其还执行以下控制,清洁后再次控制自动光学检测单元进行检测,判断是否发生污染,如未发生污染则触发机台生产,否则重新执行清洁直自动光学检测无污染;LD型喷头清洁单元,其受检测控制单元控制对LD型喷头执行清洁。7.如权利要求6所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控系统,其特征在于:若LD型喷头清洁单元执行三次以上LD型喷头清洁后,自动光学检测单元仍检测到污染,则检测控制单元触发报警,执行人工复查。8.如权利要求6所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控系统,其特征在于:若缺陷监控系统单次运行的总时长大于预设阈值,则触发报警,人工复查。9.如权利要求6-8任意一项所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控系统,其特征在于:其适用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、32nm、28nm、65nm以及22nm以下工艺半导体生产机台的真空腔体晶圆传送结构。10.如权利要求6-8任意一项所述的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控系统,其特征在于:其适用于逻辑半导体器件、存储半导体器件、射频半导体器件、模拟半导体器件、MEMS、2CN112462579A权利要求书2/2页CIS、Flash和eFlash工艺半导体生产机台的真空腔体晶圆传送结构。3CN112462579A说明书1/5页晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法和监控系统技术领域[0001]本发明涉及半导体生产制造领域,特别是涉及一种半导体显影工艺中的晶圆表面LD型显影线状光阻缺陷监控方法。本发明还涉及一种半导体