

液晶面板及其光阻图案形成方法.pdf
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液晶面板及其光阻图案形成方法.pdf
本发明提供了一种液晶面板及其光阻图案形成方法,该方法包括:在基板上涂布光阻材料层;在所述光阻材料层上设置带有图案的遮挡层;对所述遮挡层进行光照,以在所述光阻材料层上形成光阻图案;其中,所述遮挡层上的局部位置图案的线宽大于其他位置图案的线宽。相对于现有技术,本发明提供的液晶面板及其光阻图案形成方法,通过通过将面板上光阻材料层不同位置对应的遮挡层图案线宽设置为不同,具体为遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽,以克服现有技术中由于整个基板上光阻材料层不同位置的溶剂残留量不同,还利用相同线宽的遮挡层进
化学增幅型正型光阻组合物及图案形成方法.pdf
本发明是一种化学增幅型正型光阻组合物,其是化学增幅型光阻组合物,含有基质聚合物、含磺酸盐阴离子的锍盐、碱性成分及有机溶剂,作为主要成分;该基质聚合物是,含有1种或2种以上以所述通式(1)等表示的单体单元,且该聚合物的羟基的一部分是被缩醛基保护的碱不溶性聚合物,且在通过酸催化剂而被脱去保护后,会成为碱可溶性聚合物。通过光阻来进行的微影技术,需要有非常高的经时稳定性。又,必须能够得到不依存于基板的良好的图案轮廓或高解像度。依照本发明,能够提供一种可同时解决这些课题的化学增幅型正型光阻组合物及使用此
界定不同光阻图案的双重显影方法.pdf
本公开提供一种界定不同光阻图案的双重显影方法。该双重显影方法包含:提供一基底,该基底包括一周围区以及一阵列区,该阵列区邻近该周围区;使用一双型光阻而形成一光阻层在该基底上;通过一第一光遮罩而将该光阻层曝光到辐射,以界定出一第一图案在该周围区中;使用一正型显影剂显影该光阻层,以形成一第一图案在该周围区中以及形成该光阻层的一余留未曝光部分在该阵列区中;通过一第二光遮罩将在该周围区中的该第一图案与在该阵列区中的该光阻层曝光到辐射,以界定出一第二图案;以及使用一负型显影剂显影在该阵列区中的该光阻层,以形成一第二图
使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统.pdf
一种使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁,其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期,其中每个离子照射周期包括:以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁;以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期,中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
光致抗蚀剂图案形成方法.pdf
一种光致抗蚀剂图案形成方法,包括:(i)在支承体上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜的工序;(ii)将所述光致抗蚀剂膜曝光的工序;及(iii)将所述曝光后的光致抗蚀剂膜显影而形成光致抗蚀剂图案的工序,其特征在于,所述抗蚀剂组合物含有:对显影液的溶解性因酸的作用而变化的树脂(A)、通过曝光产生酸的产酸剂(B)、可光降解的碱(D1)、溶剂(S)及以下述式(x‑1)表示的化合物(X),在所述工序(i)中形成的光致抗蚀剂膜中残留的溶剂的量为910ppm以上,式中,R