一种射频模组芯片的制作方法及封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115332092A(43)申请公布日2022.11.11(21)申请号202211042456.5H01L25/16(2006.01)(22)申请日2022.08.29(71)申请人江苏卓胜微电子股份有限公司地址214072江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层(72)发明人王亮宋驭超王鑫徐可欣(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师赵翠香(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/78(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/552(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称一种射频模组芯片的制作方法及封装结构(57)摘要本发明实施例公开了一种射频模组芯片的制作方法及封装结构。射频模组芯片的制作方法包括：提供一基板，基板划分为模组芯片区和位于模组芯片区之间的切割区；在基板的模组芯片区上设置多种元器件；在基板设置有元器件的一侧形成覆盖元器件的塑封层；采用半切割工艺对完成塑封后的基板的切割区进行切割，去除切割区保留部分厚度的基板上的膜层；在基板设置有元器件的一侧形成屏蔽层，屏蔽层覆盖塑封层以及切割区所保留的基板；对切割区进行切割，得到单颗射频模组芯片。本发明的技术方案可以实现电磁屏蔽功能，又可以解决射频模组芯片底部边缘金属毛边的问题，还可以提升产能和产品良率。CN115332092ACN115332092A权利要求书1/1页1.一种射频模组芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板划分为模组芯片区和位于所述模组芯片区之间的切割区；在所述基板的所述模组芯片区上设置多种元器件；在所述基板设置有所述元器件的一侧形成覆盖所述元器件的塑封层；采用半切割工艺对完成塑封后的所述基板的切割区进行切割，去除所述切割区保留部分厚度的所述基板上的膜层；在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述塑封层以及所述切割区所保留的所述基板；对所述切割区进行切割，得到单颗射频模组芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用半切割工艺对完成塑封后的所述基板的切割区进行切割，去除所述切割区保留部分厚度的所述基板上的膜层包括：对完成塑封后的所述基板进行半切割，所述半切割的厚度包括所述基板厚度的一半。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板的所述模组芯片区上设置多种元器件之前还包括：在所述基板的所述模组芯片区上形成阻焊层，所述阻焊层间断分布，在所述阻焊层间断处形成导电凸块。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成屏蔽层的步骤包括：采用溅射工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层；或者，采用喷涂导电胶工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层；或者，采用电镀金属工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层；或者，采用覆盖导电膜工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层的材质包括铜或不锈钢。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述塑封层的材质包括环氧树脂膜塑料。7.一种射频模组芯片的封装结构，其特征在于，通过权利要求1‑6任一所述的射频模组芯片的制作方法形成，包括：基板；多种元器件，所述多种元器件位于所述基板的表面；塑封层，所述塑封层位于所述多种元器件的表面，且围绕所述多种元器件设置；屏蔽层，所述屏蔽层位于所述基板设置有所述元器件的一侧，所述屏蔽层覆盖所述塑封层以及部分所述基板。8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述元器件包括芯片，所述芯片包括滤波器芯片以及大功率芯片中的至少一种，相邻所述芯片之间间隔设置所述塑封层。9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述基板的内部包括导电层，所述基板邻近所述元器件的一侧设置有导电凸块；所述导电层与所述导电凸块连接，所述芯片位于所述导电凸块远离所述基板的表面，所述芯片的信号输出端与所述导电凸块连接。10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，还包括阻焊层，所述阻焊层设置开口结构，所述开口结构漏出所述导电凸块。2CN115332092A说明书1/7页一种射频模组芯片的制作方法及封装结构技术领域[0001]本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种射频模组芯片的制作方法及封装结构。背景技术[0002]目前市场上对于芯片发展提出的集成度要求越来越高，需要将不同功能的元器件集成在一个射频模组里面，不同元器件之间本身存在电磁干扰，会干扰信号，影响射频模组的正常工作，需要建立屏蔽层来隔离干扰，保证正常工作。[0003]由于不同元器件间存在电磁干扰，相关技术是在射频模组芯片封装好切成单颗后，在其表