一种LED芯片的制作方法及用于LED芯片的光罩组.pdf
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一种LED芯片的制作方法及用于LED芯片的光罩组.pdf
本发明公开一种LED芯片的制作方法及用于LED芯片的光罩组,在LED芯片晶圆上预留量测图形区域;将需量测的量测图形转移至量测图形区域,得到LED芯片晶圆成品;图形转移所使用的光罩组包括多个光罩本体;每一光罩本体上设置有位置相同的量测图形区域;量测图形区域设置有量测图形;多个所述光罩本体上的量测图形区域重叠时,每一所述光罩本体上的所述量测图形互不重叠,不同的量测图形存在一定间距,避免其他线条干扰,且基于量测图形区域通过光刻能够选择性地不镀一些无关线宽量测的、会导致对比度降低的膜层,以此避免了由于图形堆叠或膜
LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构.pdf
本公开涉及色转换技术领域,尤其涉及一种LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构,方法包括以下步骤:在芯片本体上涂覆二氧化硅材料,使其完全覆盖芯片本体的表面,以在芯片本体上形成二氧化硅覆盖层;对二氧化硅覆盖层的对应芯片本体内发光单元的位置刻蚀至使芯片本体的部分表面显露,以形成隔离矩阵槽;向二氧化硅覆盖层上涂覆色转换材料,直至完全填充隔离矩阵槽,以形成色转换层,本公开使二氧化硅覆盖层和芯片本体的氮化镓之间形成材料隔离分界线,保证了刻蚀过程中的刻蚀终点明确,从而避免了损伤到芯片本体内部的发光单元,保护了芯片本体
一种LED芯片及LED芯片的制造方法.pdf
本发明公开一种LED芯片及LED芯片的制造方法,该LED芯片的制造方法包括以下步骤抛光、湿洗、光刻、离子注入、蚀刻、等离子冲洗、热处理、化学气相沉积、物理气相沉积、电镀处理、表面处理、测试封装,所述步骤十中采用铂金钛网材料进行电镀,所述步骤五中蚀刻包括干蚀刻和湿蚀刻,所述干蚀刻是将之前光刻出来一些不需要的形状,通过等离子体将其洗掉,所述湿蚀刻通过试剂进一步对硅晶圆进行清洗,所述步骤十一中对硅晶圆表面残留的杂质以及光刻胶剥离后,通过对硅晶圆表面进行反复清洗,且待电镀完成后,再次对硅晶圆表面残留的杂质以及光刻
一种LED芯片及LED芯片的制备方法.pdf
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紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片.pdf
本发明提供了一种紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片,包括:步骤一、提供一衬底,在衬底上依次外延生长N‑AlGaN结构、量子阱和P‑AlGaN结构,形成一紫外光LED芯片;步骤二、外延生长完成后,在紫外光LED芯片上进行光刻和刻蚀,以将部分N‑AlGaN结构暴露出来;步骤三、制备单层或多层石墨烯薄膜,将石墨烯薄膜转移到紫外光LED芯片表面;对紫外光LED芯片进行光刻和刻蚀,以在紫外光LED芯片表面的特定区域保留石墨烯薄膜,去除其他区域的石墨烯薄膜;步骤四、采用光刻的方法制作电极图形,利用电子束蒸发