表面发射激光器器件、封装结构和发光器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115473120A(43)申请公布日2022.12.13(21)申请号202211359547.1(22)申请日2022.11.02(71)申请人苏州立琻半导体有限公司地址215400江苏省苏州市太仓市常胜北路168号(72)发明人高飞纪云张正杰魏永强许奇明(74)专利代理机构苏州三英知识产权代理有限公司32412专利代理师黄晨(51)Int.Cl.H01S5/042(2006.01)H01S5/02345(2021.01)H01S5/024(2006.01)H01S5/42(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称表面发射激光器器件、封装结构和发光器件(57)摘要本申请公开了一种表面发射激光器器件、封装结构和发光器件，表面发射激光器器件包括衬底；多个发光阵列形成于第一表面上，每一发光阵列包括至少一个发光元件；第一电极形成于第一表面上，第一电极与多个发光阵列的所有发光元件电性连接；多个第二电极与多个发光阵列一一对应，每一第二电极与对应的发光阵列的所有发光元件电性连接。本申请避免在芯片上设置薄且细长条形金属，保证电流注入的均匀性；无需在发光元件之间预留打金线的空间，有效提高了发光器件的集成化；无打金线的互联，有效避免了系统的寄生电阻和寄生电感，保证了VCSEL的快速响应速度；有源区散热无需通过热阻较大的半导体衬底，提升了散热效率。CN115473120ACN115473120A权利要求书1/2页1.一种表面发射激光器器件，其特征在于，包括：衬底，包括相背设置的第一表面和第二表面；多个发光阵列，形成于所述第一表面上，每一所述发光阵列包括至少一个发光元件，所述发光元件可沿所述第一表面指向所述第二表面的方向发光；第一电极，形成于所述第一表面上，所述第一电极与所述多个发光阵列的所有所述发光元件电性连接；多个第二电极，与所述多个发光阵列一一对应，每一所述第二电极形成于对应的所述发光阵列背离所述衬底一侧面，且第二电极与对应的所述发光阵列的所有所述发光元件电性连接；所述发光元件包括：第一导电反射层，布置在所述衬底上；有源层，布置在所述第一导电反射层上；其中，所述第一电极与所述第一导电反射层电性连接；所述衬底上布置的所述发光元件的所述第一导电反射层连接为一体，所述第一电极布置在所述第一导电反射层上并与第一导电反射层电性连接；还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层布置在所述第一导电反射层背离所述衬底一侧面，且所述第一欧姆接触层与所述第一导电反射层电性连接，所述第一电极布置在所述第一欧姆接触层背离所述第一导电反射层一侧面，且所述第一电极与所述第一欧姆接触层电性连接；还包括绝缘层，所述绝缘层布置在所述第一表面上，且所述绝缘层覆盖相邻所述发光元件的间隙以及所述发光元件的侧面；其中，所述第二电极覆盖对应的所述发光阵列的所述发光元件侧面的所述绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一欧姆接触层形成凸台结构。2.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其特征在于，所述发光元件还包括第二导电反射层，所述第二导电反射层形成于所述有源层背离所述第一导电反射层一侧面，所述第二电极与对应的所述发光阵列的所有所述发光元件的所述第二导电反射层电性连接。3.根据权利要求2所述的表面发射激光器器件，其特征在于，所述发光元件还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层形成于所述第二导电反射层背离所述有源层一侧面，所述第二欧姆接触层与所述第二导电反射层电性连接，所述第二电极与所述第二欧姆接触层电性连接。4.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其特征在于，所述衬底的所述第一表面上均匀阵列有若干排、若干列所述发光元件，每一所述发光阵列包括一个、一排、一列、若干相邻排或若干相邻列的所述发光元件。5.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其特征在于，每一所述发光阵列包括至少两个所述发光元件，所述多个发光阵列可被配置成单独工作以实现分区控制。6.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其特征在于，所述第一电极背离所述衬底一侧面和所述第二电极背离所述衬底一侧面位于与所述第一表面平行的同一平面上。7.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其特征在于，所述第二电极为金属片，且第二电极在所述第一表面上的正投影覆盖对应的所述发光阵列在所述第一表面上的正2CN115473120A权利要求书2/2页投影。8.一种表面发射激光器封装结构，其特征在于，包括：权利要求1至7任一所述的表面发射激光器器件；基板，设置在所述衬底的所述第一表面一侧，所述基板包括：第一键合电极，与所述第一电极键合；多个第二键合电极，与所述多个第二电极一一对应，每一所述第二键合电极与对应的所述第二电极键合；连接线，设置在所述第一键合电极和所述多个第二键合