发光器件封装.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105895789A(43)申请公布日2016.08.24(21)申请号201610084972.2(22)申请日2016.02.14(30)优先权数据10-2015-00215522015.02.12KR(71)申请人LG伊诺特有限公司地址韩国首尔(72)发明人金元振朴镇庆李仁宰(74)专利代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司11327代理人李琳许向彤(51)Int.Cl.H01L33/56(2010.01)H01L33/64(2010.01)权利要求书2页说明书14页附图8页(54)发明名称发光器件封装(57)摘要本发明公开了一种发光器件封装，所述发光器件封装包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，使所述发光芯片连接到所述电路图案上；所述发光芯片上的荧光粉层；以及第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案、所述发光芯片和所述连接构件，并且包括Ⅲ族氮化物。CN105895789ACN105895789A权利要求书1/2页1.一种发光器件封装，包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，使所述发光芯片连接到所述电路图案；所述发光芯片上的荧光粉层；以及第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案、所述发光芯片和所述连接构件，并且所述第一保护层包括Ⅲ族氮化物。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述Ⅲ族氮化物包括氮化硼和氮化铝中的至少一种。3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层包括硅树脂与Ⅲ族氮化物氮化硼的复合物并且具有白色。4.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，至少30重量％的氮化硼添加到所述第一保护层的硅树脂中。5.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层具有至少98％的反射率。6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层的顶面在相同平面上与所述荧光粉层的顶面对齐。7.根据权利要求1所述的发光器件封装，进一步包括所述第一保护层上的第二保护层。8.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中，所述连接构件包括从所述荧光粉层向上突出的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，其中所述连接构件的第一部分被掩埋在所述第一保护层中，并且所述连接构件的第二部分被掩埋在所述第二保护层中。9.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述荧光粉层具有小于160μm的高度。10.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第二保护层的侧面以预定的倾角相对于所述第二保护层的主表面倾斜。11.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第二保护层的底面不与所述荧光粉层的顶面接触。12.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述第二保护层包括硅树脂以及添加到硅树脂中的以下添加剂中的至少一种：TiO2、BaSo4、BN和Al2O3。13.一种发光器件封装，包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，使所述发光芯片连接到所述电路图案；所述发光芯片上的荧光粉层；第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案和所述发光芯片；所述第一保护层上的第二保护层，其中，所述连接构件包括从所述荧光粉层向上突出的第一部分以及除所述第一部分之2CN105895789A权利要求书2/2页外的第二部分，并且其中，所述连接构件的第一部分被掩埋在所述第一保护层中，并且所述连接构件的第二部分被掩埋在所述第二保护层中。14.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中所述第一保护层由包括硅树脂以及Ⅲ族氮化物氮化硼和氮化铝(AlN)中的至少一种的复合物形成。15.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层包括作为Ⅲ族氮化物添加的氮化硼，并且至少30重量％的氮化硼添加到所述硅树脂中。16.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层的顶面在相同平面上与所述荧光粉层的顶面对齐。17.根据权利要求13所述的发光器件封装，所述第二保护层的侧面以预定的倾角相对于所述第二保护层的主表面倾斜，并且所述第二保护层的底面不与所述荧光粉层的顶面接触。3CN105895789A说明书1/14页发光器件封装技术领域[0001]实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光单元。背景技术[0002]发光器件，例如，发光二极管(LED)是将电能转换成光并且广泛地用作代替常规的荧光灯和辉光灯的下一代光源的半导体器件。[0003]由于LED通过使用半导体器件产生光，所以LED与通过加热钨丝来产生光的辉光灯或通过激励高压放电产生的紫外线与荧光物质碰撞来产生光的荧光灯相比可以表现出低功耗。[0004]此外，LED通过使用半导体器件的能带隙来产生光，使