半导体器件的制造方法和衬底处理装置.pdf

本发明提供一种半导体器件的制造方法和衬底处理装置，可抑制在绝缘膜上进行成膜处理时的潜伏期的产生、转变层的形成。包含如下工序：通过对在表面形成有绝缘膜的衬底供给包含第一元素以及卤族元素的原料，来对所述绝缘膜的表面进行预处理；和将非同时地进行对所述衬底供给所述原料的工序和对所述衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在进行了所述预处理的所述绝缘膜的表面上形成包含所述第一元素以及所述第二元素的膜。

2023-06-14

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半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序.pdf

本发明包括将包含下述(a)～(d)的循环进行规定次数以对在衬底的表面形成的凹部内进行填埋的方式形成膜的工序，(a)向处理室内的衬底供给假催化剂的工序；(b)将残留在处理室内的假催化剂排出的工序；(c)向处理室内的衬底供给原料的工序；和(d)将残留在处理室内的原料排出的工序，在(a)中，在假催化剂向上述衬底表面的化学吸附成为不饱和的条件下，使假催化剂吸附于衬底的表面。

2023-11-06

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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置.pdf

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。在使用经等离子体激发的含氧气体对在衬底上形成的硅膜和硅氮化膜进行氧化时,将上述膜选择性地氧化而形成氧化层。包括(a)将包含氧及氢的处理气体进行等离子体激发而生成反应种的工序;(b)将反应种供给至衬底,将分别露出于衬底之上而形成的硅膜及硅氮化膜的表面进行氧化的工序,其中,处理气体中所含的氧与氢的比率被以下述方式进行了调节,即,使得在(b)中,将硅氮化膜的表面氧化而形成的第2氧化层的厚度相对于将硅膜的表面氧化而形成的第1氧化层的厚度而言的比

2023-05-09

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制造半导体器件的衬底的方法、对应衬底和半导体器件.pdf

本公开的各实施例涉及制造半导体器件的衬底的方法、对应衬底和半导体器件。用于半导体器件的预模制引线框架通过将电绝缘材料模制到包括半导体器件组件裸片焊盘的导电材料的层状雕刻结构上来制造。第一裸片焊盘和第二裸片焊盘经由来自第一裸片焊盘的第一延伸部和来自第二裸片焊盘的第二延伸部在引线框架的前表面上的相邻位置处耦合，并且桥接形成件在引线框架的后表面处耦合第一延伸部和第二延伸部。桥接形成件在第一延伸部和第二延伸部分之间提供牺牲连接，牺牲连接在模制电绝缘材料之后选择性地被移除，以便使第一裸片焊盘和第二裸片焊盘彼此解耦。

2023-11-05

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衬底处理装置及半导体器件的制造方法.pdf

本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，抑制在沿衬底保持件的上下方向排列的多张衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间变得不均匀。衬底处理装置(1)具有：舟皿(21)，其在能够保持晶片(7)的所有位置保持形成了图案的多张产品晶片；圆筒状的反应管(4)，其收纳舟皿；处理炉(2)，其包围反应管的上方及侧方；加热器(3)，其设在处理炉且对反应管的侧部进行加热；顶壁加热器(80)，其设在处理炉且以能够相对于加热器独立地进行控制的方式对反应管的顶壁(74)进行加热；和帽加热器(34)，其配置在反应管的内部且舟皿的下

2023-06-16

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