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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115642212A(43)申请公布日2023.01.24(21)申请号202211365329.9(22)申请日2022.11.01(71)申请人佛山思坦半导体科技有限公司地址528200广东省佛山市南海区桂城街道长江路13号禾仰广场2座3号楼13层03申请人深圳市思坦科技有限公司(72)发明人邱成峰张珂(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师张萌(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/58(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称微型显示器件制作方法、微型显示器件及微型显示装置(57)摘要本发明提供了一种微型显示器件制作方法、微型显示器件及微型显示装置,对存在多个沟道和多个上表面涂覆有光刻胶的多个像素点的第一发光阵列单元涂布黑胶,使每个像素点的上表面均涂覆有光刻胶和黑胶,每个沟道只涂覆有黑胶,烘烤后,对每个像素点上表面涂覆的光刻胶和黑胶进行剥离,得到各个像素点之间的沟道内的黑胶形成黑色阵列的微型显示器件。该方式通过获取上表面涂覆有光刻胶的多个像素点的第一发光阵列单元;再在第一发光阵列单元上涂布黑胶,最后剥离每个像素点上表面涂覆的光刻胶和黑胶,保留各个沟道的黑胶,形成具有防串光效果的黑色阵列,可以无需通过识别Mark标记对涂布的黑胶进行曝光,即可形成黑色矩阵,得到微型显示器件。CN115642212ACN115642212A权利要求书1/1页1.一种微型显示器件制作方法,其特征在于,所述方法包括:获取第一发光阵列单元;其中,所述第一发光阵列单元上存在以阵列形式排列的多个像素点,相邻的两个所述像素点之间存在沟道;每个所述像素点的上表面涂覆有光刻胶;对所述第一发光阵列单元涂布黑胶,得到黑胶发光阵列单元;其中,所述黑胶发光阵列单元的每个所述像素点的上表面均涂覆有所述光刻胶和所述黑胶,各个所述像素点之间的所述沟道只涂覆有所述黑胶;烘烤所述黑胶发光阵列单元;对烘烤后的所述黑胶发光阵列单元中的每个所述像素点上表面涂覆的所述光刻胶和所述黑胶进行剥离,得到微型显示器件;其中,所述微型显示器件中,各个像素点之间的沟道内的所述黑胶形成黑色阵列。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取第一发光阵列单元的步骤包括:获取第二发光阵列单元;其中,所述第二发光阵列单元上存在以阵列形式排列的多个像素点,相邻的两个所述像素点之间存在沟道;对所述第二发光阵列单元涂布所述光刻胶;对涂布所述光刻胶后的第二发光阵列单元上的光刻胶进行曝光和显影处理,以使每个所述像素点的上表面涂覆有光刻胶,得到所述第一发光阵列单元。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述像素点至少包括自下而上依次设置的N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层;所述沟道中的黑胶的上表面高于所述像素点的所述发光层的上表面。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述沟道中的黑胶的上表面高于所述像素点的所述P型氮化镓层的上表面。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对烘烤后的所述黑胶发光阵列单元中的每个所述像素点上表面涂覆的所述光刻胶和所述黑胶进行剥离,得到微型显示器件的步骤包括:采用预设溶液处理烘烤后的所述黑胶发光阵列单元,以对烘烤后的所述黑胶发光阵列单元中的每个所述像素点上表面涂覆的所述光刻胶和所述黑胶进行剥离,得到微型显示器件。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述像素点的光刻胶的厚度与所述沟道中的黑胶的厚度的差值大于预设阈值,以使每个所述像素点上的黑胶与所述沟道中的黑胶不连续。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述预设阈值大于或等于1um。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其特征在于,所述黑胶为负性光刻胶,且所述沟道中的黑胶的厚度大于或等于1.5um。9.一种微型显示器件,其特征在于,所述微型显示器件采用如权利要求1‑8中任一项所述制作方法制成。10.一种微型显示装置,其特征在于,所述微型显示装置包括权利要求9所述的微型显示器件。2CN115642212A说明书1/6页微型显示器件制作方法、微型显示器件及微型显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种微型显示器件制作方法、微型显示器件及微型显示装置。背景技术[0002]近年来,微小型发光二极管(Micro‑LED)显示技术由于在亮度、对比度、寿命、响应时间等方面存在显著的优势,受到业界的广泛关注。然而,Micro‑LED技术仍然存在一些挑战,由于发光视角较大(1/2亮度视角>160°),相邻像素之间存在较大的光串扰风险,对显示器的显示色域具有不良影响。目前,行业内通过采用黑色阻光材料将彼此之间的发光像素点进行隔离,形成一种黑