微型LED器件、微型LED器件制备方法以及显示装置.pdf
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微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置.pdf
本公开提供了一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括:提供微型LED外延片,该外延片依次包括衬底、第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层;从第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出第一半导体层,得到台面结构,台面结构包括至少一个凸台;在台面结构上设置消光层并在消光层上开设接触孔,以暴露出部分第一半导体层和部分第二半导体层,每个凸台上方的消光层上开设有多个接触孔;在暴露出的部分第一半导体层和部分第二半导体层上设置金属层;在金属层上设置金属块,得到微型LED芯片阵列;通过金属块将芯片阵列与驱
微型LED器件、微型LED器件制备方法以及显示装置.pdf
本公开提供了一种微型LED器件、微型LED器件制备方法及显示装置。所述微型LED器件包括:驱动基板;微型LED芯片阵列,其键合在所述驱动基板上,并且所述微型LED芯片阵列包括台面结构,所述台面结构包括至少两个凸台,所述至少两个凸台中的每个凸台上设有至少一组发光单元,每组发光单元构成正方形像素。根据该方案,可提高微型LED的显示效果。
微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置.pdf
本公开提供了一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括:提供微型LED外延片,外延片包括第一半导体层、多层量子阱结构和第二半导体层;从第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出第一半导体层,得到台面结构,其中台面结构包括多个凸台;在每个凸台上并且在暴露的第一半导体层上设置金属层,得到第一中间结构;在第一中间结构上设置消光层并在消光层上开设多个接触孔以暴露出金属层;在暴露的金属层上设置金属块,得到微型LED芯片阵列;通过金属块将微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合,得到微型LED器件。根据该方
微型LED器件、微型LED阵列及制造方法.pdf
本发明提供了一种微型LED器件、微型LED阵列及制造方法,涉及半导体发光器件技术领域。具体地,通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能,形成两个高电阻区,该区域具有较高的电阻,以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本发明保留了LED外延层的平面结构,避免了在LED发光区域外围形成台阶结构,有利于器件的微缩,有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。
GaN基微型LED阵列器件的制备方法及阵列器件.pdf
本发明涉及一种GaN基微型LED阵列器件的制备方法,该方法在LED阵列器件的外延结构上生长一层ITO薄膜,然后采用掩膜对外延结构非像素点区域的ITO薄膜进行湿法刻蚀,保留像素点区域的ITO薄膜作为像素点P电极的欧姆接触层。