微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939271A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211483373.XH01L27/15(2006.01)(22)申请日2022.11.24(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人符民张珂(74)专利代理机构北京慧加伦知识产权代理有限公司16035专利代理师李强(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/44(2010.01)H01L33/58(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书2页说明书10页附图6页(54)发明名称微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置(57)摘要本公开提供了一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括：提供微型LED外延片，外延片包括第一半导体层、多层量子阱结构和第二半导体层；从第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出第一半导体层，得到台面结构，其中台面结构包括多个凸台；在每个凸台上并且在暴露的第一半导体层上设置金属层，得到第一中间结构；在第一中间结构上设置消光层并在消光层上开设多个接触孔以暴露出金属层；在暴露的金属层上设置金属块，得到微型LED芯片阵列；通过金属块将微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合，得到微型LED器件。根据该方案，可改善光学串扰现象和周边漏光现象。CN115939271ACN115939271A权利要求书1/2页1.一种微型LED器件制备方法，其中，所述方法包括：提供微型LED外延片，所述微型LED外延片自下而上依次包括第一半导体层、多层量子阱结构和第二半导体层；从所述第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出所述第一半导体层，得到台面结构，其中所述台面结构包括多个凸台；在每个凸台的第二半导体层上并且在暴露的第一半导体层上设置金属层，得到第一中间结构；在所述第一中间结构上设置消光层，并在所述消光层上开设多个接触孔以暴露出所述金属层；在暴露的金属层上设置金属块，得到微型LED芯片阵列；通过所述金属块将所述微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合，得到微型LED器件。2.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，所述消光层包括第一消光部和绝缘部，在所述第一中间结构上设置消光层，并在所述消光层上开设多个接触孔以暴露出所述金属层包括：在暴露的第一半导体层上设置第一消光部，得到第二中间结构；在所述第二中间结构上设置绝缘部并在所述绝缘部上开设多个接触孔以暴露出所述金属层。3.根据权利要求2所述的微型LED器件制备方法，其中，所述第一消光部包括黑色色阻，在暴露的第一半导体层上设置第一消光部包括：在所述第一中间结构上设置所述黑色光阻以整面覆盖所述第一中间结构；通过干法刻蚀对所述黑色光阻进行整面刻蚀，以暴露出所述金属层。4.根据权利要求2所述的微型LED器件制备方法，其中，所述第一消光部的高度与所述第一半导体层上的金属层的高度齐平。5.根据权利要求2所述的微型LED器件制备方法，其中，所述绝缘部包括绝缘光阻层。6.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，所述消光层包括第二消光部，在所述第一中间结构上设置消光层，并在所述消光层上开设多个接触孔以暴露出所述金属层包括：在所述第一中间结构上设置第二消光部，并在所述第二消光部上开设多个接触孔以暴露出所述金属层。7.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，通过所述金属块将所述微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合，得到微型LED器件包括：使所述金属块回流形成金属凸点；通过所述金属凸点将所述微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合。8.根据权利要求1至7中任一项所述的微型LED器件制备方法，其中，在每个凸台的第二半导体层上并且在暴露的第一半导体层设置金属层包括：在每个凸台的第二半导体层上并且在暴露的第一半导体层上设置电流扩展层；在所述电流扩展层上设置所述金属层。9.一种微型LED器件，其中，所述微型LED器件包括微型LED芯片阵列和驱动基板，其中，所述微型LED芯片阵列包括第一中间结构，所述第一中间结构包括台面结构和金2CN115939271A权利要求书2/2页属层，所述台面结构包括多个凸台，所述多个凸台中的每个凸台依次包括第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层，所述金属层设置在每个凸台的第二半导体层上和暴露的第一半导体层上，并且所述微型LED芯片阵列还包括：消光层，其设置在所述第一中间结构上并且包括用于暴露出所述金属层的接触孔；金属块，其设置在暴露出的金属层上，其中，所述微型LED芯片阵列通过所述金属块与所述驱动基板倒装键合。10.根据权利要求7所述的微型LED器件，其中，所述消光