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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939272A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211483398.X(22)申请日2022.11.24(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人符民(74)专利代理机构北京慧加伦知识产权代理有限公司16035专利代理师李强(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/44(2010.01)H01L33/20(2010.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置(57)摘要本公开提供了一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括:提供微型LED外延片,该外延片依次包括衬底、第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层;从第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出第一半导体层,得到台面结构,台面结构包括至少一个凸台;在台面结构上设置消光层并在消光层上开设接触孔,以暴露出部分第一半导体层和部分第二半导体层,每个凸台上方的消光层上开设有多个接触孔;在暴露出的部分第一半导体层和部分第二半导体层上设置金属层;在金属层上设置金属块,得到微型LED芯片阵列;通过金属块将芯片阵列与驱动基板倒装键合,得到微型LED器件。根据该方案,可改善光学串扰现象和周边漏光问题。CN115939272ACN115939272A权利要求书1/2页1.一种微型LED器件制备方法,其中,所述方法包括:提供微型LED外延片,所述微型LED外延片自下而上依次包括衬底、第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层;从所述第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出所述第一半导体层,得到台面结构,其中所述台面结构包括至少一个凸台;在所述台面结构上设置消光层并在所述消光层上开设接触孔,以暴露出部分第一半导体层和所述至少一个凸台上的部分第二半导体层,其中所述至少一个凸台中的每个凸台上方的消光层上开设有多个接触孔,以用于形成多个发光单元;在暴露出的所述部分第一半导体层和所述部分第二半导体层上设置金属层;在所述金属层上设置金属块,得到微型LED芯片阵列;通过所述金属块将所述微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合,得到微型LED器件。2.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法,其中,在所述消光层上开设接触孔,以暴露出部分第一半导体层和所述至少一个凸台上的部分第二半导体层,其中所述至少一个凸台中的每个凸台上方的消光层上开设有多个接触孔,以用于形成多个发光单元包括:在所述消光层上开设多个第一接触孔和多个第二接触孔,使得所述多个第一接触孔中的每个第一接触孔暴露出部分第一半导体层并且所述多个第二接触孔中的每个第二接触孔暴露出所述凸台上的部分第二半导体层,其中所述多个第二接触孔根据预设接触孔尺寸和预设孔间尺寸来开设。3.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法,其中,在暴露出的所述部分第一半导体层和所述部分第二半导体层上设置金属层包括:在暴露出的所述部分第一半导体层和所述部分第二半导体层上设置电流扩展层;在所述电流扩展层上设置所述金属层。4.根据权利要求3所述的微型LED器件制备方法,其中,所述电流扩展层包括氧化铟锡层。5.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法,其中,通过所述金属块将所述微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合,得到微型LED器件包括:使所述金属块回流形成金属凸点;通过所述金属凸点将所述微型LED芯片阵列与驱动基板倒装键合。6.根据权利要求1至5中任一项所述的微型LED器件制备方法,其中,所述衬底是蓝宝石衬底,所述第一半导体层是N‑GaN层,所述第二半导体层是P‑GaN层。7.一种微型LED器件,其中,所述微型LED器件包括微型LED芯片阵列和驱动基板,其中,所述微型LED芯片阵列包括台面结构,所述台面结构包括至少一个凸台,所述至少一个凸台依次包括第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层,并且所述微型LED芯片阵列还包括:消光层,其设置在所述台面结构上并且包括用于暴露出部分第一半导体层和所述至少一个凸台上的部分第二半导体层的接触孔,其中所述至少一个凸台中的每个凸台上方的消光层上开设有多个接触孔,以用于形成多个发光单元;金属层,其设置在暴露出的所述部分第一半导体层和所述部分第二半导体层上;金属块,其设置在所述金属层上,2CN115939272A权利要求书2/2页其中,所述微型LED芯片阵列通过所述金属块与所述驱动基板倒装键合。8.根据权利要求7所述的微型LED器件,其中,所述消光层开设有多个第一接触孔和多个第二接触孔,所述多个第一接触孔中的每个第一接触孔暴露出部分第一半导体层并且所述多个第二接触孔中的每个第二