一种暂态基板及芯片转移方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115732526A(43)申请公布日2023.03.03(21)申请号202110988480.7(22)申请日2021.08.26(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人汪庆萧俊龙汪楷伦(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281专利代理师李发兵(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)H01L33/52(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图12页(54)发明名称一种暂态基板及芯片转移方法(57)摘要本发明涉及一种暂态基板及芯片转移方法，所述暂态基板用于芯片的转移，所述暂态基板包括：基板本体，所述基板本体上设有若干芯片承载区，一个所述芯片承载区用于承载至少一颗芯片；形成于所述基板本体上，与所述芯片承载区相通的沟槽；形成于各所述芯片承载区上的粘胶层，通过所述粘胶层的黏性将芯片固定于所述芯片承载区，且所述粘胶层在受热由固态变为液态和/或汽态时，其中的至少一部分流入所述沟槽。上述暂态基板上的沟槽可使汽化胶材快速有效地排出，防止了汽化胶材对芯片的影响，避免了芯片发生偏移、翻转的情况，提高了芯片剥离的质量。在加热过程中受热融化的胶材会流至沟槽中，防止了胶材的残留，保证了芯片转移的良品率。CN115732526ACN115732526A权利要求书1/1页1.一种暂态基板，所述暂态基板用于芯片的转移，其特征在于，所述暂态基板包括：基板本体，所述基板本体上设有若干芯片承载区，一个所述芯片承载区用于承载至少一颗芯片；形成于所述基板本体上，与所述芯片承载区相通的沟槽；形成于各所述芯片承载区上的粘胶层，通过所述粘胶层的黏性将芯片固定于所述芯片承载区，且所述粘胶层在受热由固态变为液态和/或汽态时，其中的至少一部分流入所述沟槽。2.如权利要求1所述的暂态基板，其特征在于，所述沟槽包括位于所述芯片承载区两侧的第一沟槽。3.如权利要求2所述的暂态基板，其特征在于，相邻所述芯片承载区之间的所述沟槽为同一所述第一沟槽；或，相邻所述芯片承载区之间的所述沟槽包括两个所述第一沟槽。4.如权利要求2所述的暂态基板，其特征在于，所述沟槽还包括位于所述芯片承载区上的第二沟槽。5.如权利要求4所述的暂态基板，其特征在于，所述第二沟槽设于所述芯片承载区的中部；或者，所述第二沟槽设于所述芯片承载区的两侧的边缘，且与所述第一沟槽相通。6.如权利要求1所述的暂态基板，其特征在于，所述沟槽包括位于所述芯片承载区上的第三沟槽。7.如权利要求6所述的暂态基板，其特征在于，所述沟槽还包括穿过相邻的所述芯片承载区的第四沟槽，使相邻的所述芯片承载区之间相通。8.如权利要求7所述的暂态基板，其特征在于，所述第四沟槽位于所述第三沟槽之间，与所述第三沟槽相通或者不相通。9.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1‑8任一项所述的暂态基板；通过所述粘胶层的黏性将芯片固定于所述芯片承载区；对所述芯片与所述基板本体之间的粘胶层选择性加热，使加热部位的粘胶层受热由固态变为液态和/或汽态，其中的至少一部分流入所述沟槽；将所述芯片从所述暂态基板剥离。10.如权利要求9所述的芯片转移方法，其特征在于，将芯片固定于所述芯片承载区之后；对所述芯片与所述基板本体之间的粘胶层选择性加热之前，还包括：将所述芯片从生长基板剥离；让所述芯片远离所述暂态基板的一端与转移基板贴合。2CN115732526A说明书1/6页一种暂态基板及芯片转移方法技术领域[0001]本发明涉及显示的技术领域，尤其涉及一种暂态基板及芯片转移方法。背景技术[0002]MicroLED作为新一代显示技术，相比于LCD、OLED技术，其亮度更高、发光效率更好、同时具有低功耗和长寿命的性能。在MicroLED的工艺制程中，芯片巨量转移作为核心工艺，主要包含选择性激光转移技术、Pick&up技术、转印技术等，其中选择性激光转移技术为目前主流技术。[0003]目前，在选择性激光剥离的过程中，需要通过激光作用使胶材汽化实现芯片电极与暂态基板的剥离，但在激光作用于胶材后往往存在未汽化的胶材残留在芯片电极表面，影响了后续制作，对后续芯片电极与背板键合后的电性存在较大影响。同时，胶材受激光的作用高温汽化产生气体，该气体无法有效地排出，从而还会出现芯片发生偏移、翻转等不良现象，严重影响了芯片转移的质量。[0004]因此，如何防止芯片转移过程中胶材的残留，并使汽化的胶材有效地排出是亟需解决的问题。发明内容[0005]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种暂态基板及芯片转移方法，旨在解决芯片转移过程中