一种芯片转移方法及承载基板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115732527A(43)申请公布日2023.03.03(21)申请号202110996707.2(22)申请日2021.08.27(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人范春林蔡明达汪楷伦汪庆詹蕊绮(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281专利代理师李发兵(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书2页说明书11页附图10页(54)发明名称一种芯片转移方法及承载基板(57)摘要本发明涉及一种芯片转移方法及承载基板。利用带有凹槽的承载基板转移并承接生长衬底上脱落的LED芯片，在分离生长衬底与LED芯片之前，并不要求LED芯片在与承载基板建立固定连接，这样在利用激光剥离LED芯片之前，先在LED芯片与承载基板的槽底间预留间隙，以便后续LED芯片脱离生长衬底后，该间隙可以转移到LED芯片与生长衬底之间，形成供N2通过的通道，实现了N2有序排放，避免了N2因缺少排泄通道而冲击损坏LED芯片的问题，提升了LED芯片的转移良率。同时，因为承载基板利用凹槽对落下的LED芯片进行限位，可以不需要使用胶材粘接LED芯片，避免了后续胶材残留于LED芯片上的问题，有利于提升LED芯片的出光效果。CN115732527ACN115732527A权利要求书1/2页1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：提供一具有多个凹槽的承载基板，所述多个凹槽的槽口朝向相同；对所述承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，至所述LED芯片悬于所述凹槽的槽底之上；以及利用激光从所述生长衬底上剥离所述LED芯片，使所述LED芯片落入所述凹槽中。2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对所述承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，至所述LED芯片悬于所述凹槽的槽底之上包括：对所述承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，以使所述LED芯片悬空置于所述凹槽中。3.如权利要求1或2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述提供一具有多个凹槽的承载基板包括：提供一承载板；在所述承载板上设置掩膜版，所述掩膜版上包括多个镂空区域，且所述镂空区域在所述掩膜版中的排布方式与所述LED芯片在所述生长衬底上的排布方式相同；透过所述掩膜版对所述承载板进行刻蚀，刻蚀深度小于所述承载板的厚度；去除所述掩膜版，以得到具有多个凹槽的承载基板。4.如权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，所述提供一承载板包括：提供一下载板，并在所述下载板上形成一金属层；在所述承载板上设置掩膜版包括：在所述金属层远离所述下载板的一面上设置掩膜版。5.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述透过所述掩膜版对所述承载板进行刻蚀包括：透过所述掩膜版对所述金属层进行刻蚀，直至所述镂空区域中的所述承载板外露。6.如权利要求1或2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述利用激光从所述生长衬底上剥离所述LED芯片之前，还包括：对所述生长衬底上的所述LED芯片进行检测，识别出坏点LED芯片；所述利用激光从所述生长衬底上剥离所述LED芯片包括：根据所述坏点LED芯片在所述生长衬底上的位置利用激光对所述生长衬底上的LED芯片进行选择性剥离。7.如权利要求1或2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述LED芯片为第一LED芯片，所述生长衬底为第二生长衬底；所述利用激光从所述生长衬底上剥离所述LED芯片之后，还包括：对所述承载基板与带有多颗第二LED芯片的第二生长衬底进行对位，至部分所述第二LED芯片悬于空置凹槽的槽底之上；以及利用激光从所述第二生长衬底上剥离与所述空置凹槽对应的所述第二LED芯片，使所述第二LED芯片落入所述空置凹槽中，所述第二LED芯片与所述第一LED芯片颜色不同；利用转移头将所述凹槽中的所述第一LED芯片与所述第二LED芯片选择性地转移并键合至驱动背板上。8.一种承载基板，应用于如权利要求1‑7任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，包2CN115732527A权利要求书2/2页括：承载板；以及设置在所述承载板上的多个凹槽，所述多个凹槽的槽口朝向相同。9.如权利要求8所述的承载基板，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述LED芯片的高度。10.如权利要求8或9所述的承载基板，其特征在于，所述承载板包括下载板以及金属层，所述凹槽的深度等于所述金属层的厚度。3CN115732527A说明书1/11页一种芯片转移方法及承载基板技术领域[0001]本发明涉及芯片转移技术领域，尤其涉及一种芯片转移方法及承载基板。背景技术[0002]通常GaN(氮化镓)基的