

用于制造电子器件的方法以及包括堆叠的电子器件.pdf
骊英****bb
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相关资料
用于制造电子器件的方法以及包括堆叠的电子器件.pdf
本公开的实施例涉及用于制造电子器件的方法以及电子器件,其中集成电路(3)的背部面被固定在支撑晶片(2)的正面上;保护晶片(12)面向并与所述芯片的前部面间隔一定距离处地定位;固定装置(13)被插入在所述芯片和所述晶片之间,并位于前部面的中心区域之外的芯片的前部面的区域上,该固定装置包括粘合剂以及包括在该粘合剂中的固体间隔元件;屏障阻挡件(17)被布置在芯片的前部面的所述中心区域之外在芯片和保护晶片之间;并且包封环(20)围绕芯片、保护晶片和屏障阻挡件。
包括堆叠的芯片的电子器件.pdf
本公开的实施方式涉及一种用于制造电子器件的方法以及电子器件,其中第一和第二集成电路芯片(2,5)被面对地并且彼此相距一定距离堆叠,多个电连接柱(11)和至少一个保护性阻挡件(7,28,29,35)介于所述芯片之间,从而在所述芯片的相互相对的局部区域(9,10)之间界定自由空间(8),并且包封块(12)在具有较小的安装面的芯片(2)周围以及在另一芯片(5)的安装面的外围之上延伸;并且其中所述电连接柱以及所述保护性阻挡件出于同步制造的目的而由至少一种相同的金属材料制成。
制造电子器件的方法以及具有双密封环的电子器件.pdf
本申请涉及制造电子器件的方法以及具有双密封环的电子器件。其中在基体晶片(2)的顶部上安装集成电路芯片(3),并且在所述芯片的顶部上安装保护晶片(12),围绕所述芯片和保护晶片并且在基体晶片的前表面的外围部分上形成密封块(18)。所述密封块包括:第一密封环(19),其围绕芯片和保护晶片而布置,具有相对于保护晶片的前表面而突出的环形镶边(20),并且形成相对于所述突出的环形镶边而凹陷的外围沟槽(24);以及第二密封环(25),其填充所述第一密封环的外围沟槽(24)。
光电子器件以及用于接触光电子器件的方法.pdf
一种光电子器件(1)、尤其光伏元件,具有:基部电极(2);顶部电极(3);以及具有至少一个光活性层的层体系(4),其中层体系(4)布置在基部电极(2)与顶部电极(3)之间;布置在基部电极(2)和/或顶部电极(3)的背离层体系(4)一侧的平面化层(5);布置在平面化层(5)上的至少一个阻挡层(6);以及至少一个电力汇流条(7),其中至少一个电力汇流条(7)布置在至少一个阻挡层(6)上,其中平面化层(5)具有导电粒子(9,10),其中导电粒子(9,10)至少大体上被引入到平面化层(5)中,并且其中导电粒子(9
光电子器件和用于制造光电子器件的方法.pdf
本发明涉及一种光电子器件(100),其包括载体(8)和多个能够被单独地并且独立地驱动的光电子的半导体芯片(1)。每个半导体芯片包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有n型掺杂层(20)、p型掺杂层(21)、用于产生的辐射的有源区(22)和侧表面(25),所述侧表面横向于有源区地延伸并且沿横向方向界定半导体层序列。半导体芯片在半导体层序列的相应的侧表面上分别具有电绝缘的钝化层(4)。至少一些半导体芯片配属于第一组(11)。第一组的半导体芯片配置有共同的边缘场产生装置(5),所述边缘场产生装置在第一组的每