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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106461800A(43)申请公布日2017.02.22(21)申请号201580034428.0(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通(22)申请日2015.06.22合伙)31260代理人成丽杰(30)优先权数据62/015,6052014.06.23US(51)Int.Cl.G01T3/08(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L27/14(2006.01)2016.12.23H01L31/115(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L31/18(2006.01)PCT/US2015/0369262015.06.22(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/053414EN2016.04.07(71)申请人伦斯勒理工学院地址美国纽约州特罗伊市第8大街110(72)发明人拉金德拉·P·达哈尔伊瑟拉·B·比哈特亚龙·达农詹姆斯·建强·鲁权利要求书2页说明书10页附图4页(54)发明名称辐射检测结构及其制造方法(57)摘要本发明呈现辐射检测结构及其制造方法。所述方法包含(例如):提供衬底,所述衬底包含从其上表面延伸到所述衬底中的至少一个沟槽;以及从所述衬底的所述至少一个沟槽的一或多个侧壁外延地形成辐射响应性半导体材料层,所述辐射响应性半导体材料层通过在其中产生电荷载流子来响应于入射辐射。在一个实施例中,所述衬底的所述至少一个沟槽的所述侧壁包含所述衬底的(111)表面,其促进外延地形成所述辐射响应性半导体材料层。在另一实施例中,所述辐射响应性半导体材料层包含六方氮化硼,且所述外延地形成包含利用a轴线来提供所述六方氮化硼,所述a轴线平行于所述沟槽的所述侧壁。CN106461800ACN106461800A权利要求书1/2页1.一种方法,其包括:构造一种辐射检测结构,所述构造包括:提供衬底,所述衬底包括从其上表面延伸到所述衬底中的至少一个沟槽;以及在所述衬底的所述至少一个沟槽的一或多个侧壁上方外延地形成辐射响应性半导体材料层,所述辐射响应性半导体材料层通过在其中产生电荷载流子而响应于入射辐射。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述外延地形成包括利用与侧壁对准的晶体轴线来形成所述辐射响应性半导体材料层,所述与侧壁对准的晶体轴线平行于所述衬底的所述至少一个沟槽的所述一或多个侧壁,其中所述电荷载流子沿着所述辐射响应性半导体材料层的所述与侧壁对准的晶体轴线的移动性大于所述电荷载流子沿着其另一晶体轴线的另一移动性,所述电荷载流子沿着所述辐射响应性半导体材料层的所述与侧壁对准的晶体轴线的所述较大移动性促进所述入射辐射的检测。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底的所述至少一个沟槽的所述一或多个侧壁包括所述衬底的(111)表面,所述衬底的所述(111)表面促进所述辐射响应性半导体材料层与其晶体对准。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述辐射响应性半导体材料层包括六方氮化硼层,且所述外延地形成包括利用a轴线来形成所述六方氮化硼层,所述a轴线平行于所述衬底的所述沟槽的所述一或多个侧壁。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述提供包括:向所述衬底提供包括(110)表面的其所述上表面;以及从其所述(110)表面各向异性地蚀刻所述衬底从而形成具有拥有至少一个(111)表面的所述一或多个侧壁的所述至少一个沟槽,其中所述衬底的所述至少一个(111)表面促进所述至少一个沟槽内的所述辐射响应性半导体材料层的晶体对准。6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法,其中所述辐射响应性半导体材料层包含n型掺杂剂或p型掺杂剂,所述n型或p型掺杂剂增加所述电荷载流子的量以促进所述入射辐射的检测。7.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法,其中所述至少一个沟槽的所述一或多个侧壁包括第一侧壁和第二侧壁,且所述外延地形成包括由所述至少一个沟槽的所述第一侧壁和所述第二侧壁两者形成所述辐射响应性半导体材料层。8.根据权利要求7所述的方法,其中所述第一侧壁与所述第二侧壁成相对关系而安置,且所述外延地形成进一步包括用所述辐射响应性半导体材料层填充所述至少一个沟槽,其中所述至少一个沟槽的所述第一侧壁和所述第二侧壁将所述辐射响应性半导体材料层限制在其中。9.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法,其中所述外延地形成包括在所述至少一个沟槽内提供前驱体气体的脉冲,所述前驱体气体包括所述辐射响应性半导体材料,其中所述前驱体气体的所述脉冲促进所述辐射响应性半导体材料层沿着所述至少一个沟槽的所述一或多个侧壁的生长和结晶。10.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法,其进一步包括提供在所述衬底上方及下方且与其中的所述辐射响应性半导体材料层电接触的接触结