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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102421719102421719B(45)授权公告日2014.12.10(21)申请号201080020074.1(56)对比文件CN101168476A,2008.04.30,(22)申请日2010.07.12CN101372396A,2009.02.25,(30)优先权数据CN1302775A,2001.07.11,10-2009-00673012009.07.23KRCN1476379A,2004.02.18,(85)PCT国际申请进入国家阶段日CN101384516A,2009.03.11,全文.2011.11.07CN101237990A,2008.08.06,全文.(86)PCT国际申请的申请数据CN1569713A,2005.01.26,PCT/KR2010/0045202010.07.12CN101367620A,2009.02.18,全文.CN101148329A,2008.03.26,(87)PCT国际申请的公布数据CN101321703A,2008.12.10,WO2011/010824KO2011.01.27审查员张月(73)专利权人乐金华奥斯有限公司地址韩国首尔(72)发明人田允淇赵锦悉裴一骏黄承锡(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270代理人武晨燕迟姗(51)Int.Cl.C03C17/23(2006.01)C03C17/245(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书9页说明书9页附图2页附图2页(54)发明名称低辐射玻璃及其制造方法(57)摘要本发明提供一种低辐射玻璃及其制造方法,低辐射玻璃包括低辐射层、以及形成于上述低辐射层上的电介质层,辐射率为0.01至0.3,可视光透过率为70%以上。根据本发明,能提供具有优秀的辐射性能,并且表现出高可视光透过率的低辐射玻璃。并且,根据本发明,能够简化如上所述的低辐射玻璃的制造工序,减少初始投资费用。CN102421719BCN102479BCN102421719B权利要求书1/1页1.一种低辐射玻璃,其特征在于,包括:基材,低辐射层,其形成于所述基材上,以及电介质层,其在无氧的氩气环境下形成于所述低辐射层上;其中,所述低辐射玻璃具有0.01至0.3的辐射率和85%以上的可视光透过率,其中,所述电介质层在所述低辐射层未被氧化的情况下直接形成于所述低辐射层上,从而使所述电介质层和低辐射层具有清楚的界限,其中,电介质层的厚度为10至100nm。2.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,辐射率为0.01至0.2。3.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,面电阻为5至15Ω/cm2。4.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,低辐射层包含选自由银、铜、金、铝及铂构成的群中的一种以上。5.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,低辐射层的厚度为5至35nm。6.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,电介质层包含选自由氧化锌、氧化铝、氧化锆、二氧化硅、氧化锡、氧化钛、氧化铋、铟掺杂氧化锡、镓掺杂氧化锌及铝掺杂氧化锌构成的群中的一种以上。7.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,进一步包括电介质层,该电介质层形成于低辐射层的下表面。8.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,进一步包括保护涂层,该保护涂层形成于电介质层上。9.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,进一步包括底涂层,该底涂层形成于基材和低辐射层之间。10.一种低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:在真空条件下,利用金属氧化物作为靶,在无氧的氩气环境下在低辐射层上直接蒸镀电介质层,其中,所述低辐射玻璃具有0.01至0.3的辐射率和85%以上的可视光透过率,其中,所述电介质层在所述低辐射层未被氧化的情况下直接形成于所述低辐射层上,从而使所述电介质层和低辐射层具有清楚的界限,其中,电介质层的厚度为10至100nm。11.根据权利要求10所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,蒸镀是在工序压力为1至10mTorr的真空下执行的。12.根据权利要求10所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,氩气的注入量为10至100sccm。13.根据权利要求10所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,蒸镀是利用等离子溅射方法来执行的。14.根据权利要求13所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,蒸镀是施加1至5W/cm2的输入电力来形成等离子。2CN102421719B说明书1/9页低辐射玻璃及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及低辐射玻璃及其制造方法。背景技术[0002]低辐射玻璃(Lowemissivityglass;Low-eglass)作