制造辐射检测结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106662662A(43)申请公布日2017.05.10(21)申请号201580034377.1(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通(22)申请日2015.06.22合伙)31260代理人成丽杰(30)优先权数据62/015,5732014.06.23US(51)Int.Cl.G01T3/08(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L31/115(2006.01)2016.12.23H01L31/18(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2015/0369212015.06.22(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/053413EN2016.04.07(71)申请人伦斯勒理工学院地址美国纽约州特罗伊市第8大街110(72)发明人拉金德拉·P·达哈尔伊瑟拉·B·比哈特亚龙·达农詹姆斯·建强·鲁权利要求书2页说明书11页附图9页(54)发明名称制造辐射检测结构(57)摘要提出用于制造辐射检测结构的方法。所述方法包括(例如)：制造辐射检测结构，所述制造包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有从其表面延伸到所述半导体衬底中的多个凹腔；及将辐射检测材料的辐射检测粒子电泳式沉积至延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔中，其中所述电泳式沉积用所述辐射检测粒子填充所述多个凹腔。在一个实施例中，所述提供可包括电化学蚀刻所述半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔。另外，所述提供可进一步包括用多个表面缺陷区域图案化所述半导体衬底的所述表面，且所述电化学蚀刻可包括使用所述多个表面缺陷区域来便于穿过所述多个表面缺陷区域电化学蚀刻到所述半导体衬底中，以形成所述多个凹腔。CN106662662ACN106662662A权利要求书1/2页1.一种方法，包括：制造辐射检测结构，所述制造包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括从其表面延伸到所述半导体衬底中的多个凹腔；及将辐射检测材料的辐射检测粒子电泳式沉积至延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔中，其中所述电泳式沉积用所述辐射检测粒子填充所述多个凹腔。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供包括通过电化学蚀刻所述半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述提供进一步包括用多个表面缺陷区域图案化所述半导体衬底的所述表面，且所述电化学蚀刻包括使用所述多个表面缺陷区域来便于穿过所述多个表面缺陷区域电化学蚀刻到所述半导体衬底中，以形成延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔。4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括将所述半导体衬底连接到电解设备的电极，及使用所述电解设备以用于所述电化学蚀刻及所述电泳沉积两者。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述电化学蚀刻包括形成宽度针对从所述半导体衬底的所述表面开始的所述多个凹腔的长度大致恒定的所述多个凹腔，其中所述半导体衬底的所述多个凹腔的所述大致恒定宽度便于将所述辐射检测材料电泳沉积到所述多个凹腔中。6.根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体衬底的所述表面包括(111)表面且所述电化学蚀刻便于形成穿过所述半导体衬底的所述(111)表面的所述多个凹腔。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述电化学蚀刻包括在所述电化学蚀刻期间将所述半导体衬底用作电极。8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述电泳沉积包括：将所述辐射检测粒子分散在所述半导体衬底的所述多个凹腔所暴露到的液体内；及施加电磁场，所述电磁场基本上沿着其中所述多个凹腔延伸到所述半导体衬底的方向定向，其中所述电磁场便于将所述辐射检测粒子沉积在所述半导体衬底的所述多个凹腔内。9.根据权利要求8所述的方法，其中选择所述电磁场的强度以达到所述辐射检测粒子在所述半导体衬底的所述多个凹腔内的目标填充比。10.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述电泳沉积包括：用所述辐射检测粒子过填充所述半导体衬底的所述多个凹腔；及将在所述多个凹腔上方的过填充的辐射检测粒子向下移动到延伸到所述半导体衬底的所述多个凹腔中，以进一步增加安置于其中的所述辐射检测粒子的量。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述移动包括以机械方式迫使所述过填充的辐射检测粒子进入所述半导体衬底的所述多个凹腔中。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述移动包括使所述辐射检测结构退火以将所述过填充的辐射检测粒子扩散到所述半导体衬底的所述多个凹腔中。13.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述电泳沉积包括将所述辐射检测材料的在1nm到3μm的范围中的不同大小的辐射检测粒子安置到所述半导体衬底的所述多2CN106662662A权利要求书2/2页个凹腔中，其中所