电子封装体和制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109273414A(43)申请公布日2019.01.25(21)申请号201810791197.3(22)申请日2018.07.18(30)优先权数据17567982017.07.18FR(71)申请人意法半导体（格勒诺布尔2）公司地址法国格勒诺布尔(72)发明人K·萨克斯奥德N·马斯特罗莫罗(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华董典红(51)Int.Cl.H01L23/10(2006.01)H01L21/52(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称电子封装体和制造方法(57)摘要本申请涉及电子封装体和制造方法。集成电路芯片被安装在支撑板的前表面上。然后密封盖被安装到支撑板。密封盖包括：前壁和外围壁，外围壁具有至少部分地面向支撑板的外围区域的末端边缘。支撑板和密封盖界定集成电路芯片所位于的腔室。为了安装密封盖，胶珠被插入在外围区域与密封盖的外围壁的末端边缘之间。密封盖的外围外表面包括从末端边缘延伸的凹槽，该凹槽局部地露出胶珠的一部分。作为第一附接步骤执行凹槽处的胶的局部硬化。然后执行胶的剩余部分的进一步硬化。CN109273414ACN109273414A权利要求书1/2页1.一种封装体，包括：具有前表面的支撑板；电子集成电路芯片，被安装在所述支撑板的所述前表面上；密封盖，包括前壁和外围壁，所述前壁在所述电子集成电路芯片前部延伸，所述外围壁具有至少部分地面向所述支撑板的外围区域的末端边缘，所述支撑板和所述密封盖界定至少一个腔室，所述电子集成电路芯片被定位于所述至少一个腔室中；以及至少一个胶珠，被插入在所述支撑板的所述外围区域与所述密封盖的所述外围壁的所述末端边缘之间；其中，所述密封盖的外围外表面具有至少一个局部中空凹槽，所述凹槽从所述末端边缘延伸并且至少部分地在所述外围壁的外围方向上沿着所述外围壁的局部和有限部分延伸，所述至少一个局部凹槽局部地露出在所述外围壁的所述外围方向上的所述胶珠的局部部分中的所述胶珠。2.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述局部凹槽沿着所述密封盖的外表面在所述外围壁的整个高度上延伸。3.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述局部凹槽沿着所述密封盖的外表面仅在所述外围壁的高度的一部分上延伸。4.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述密封盖的外表面在所述外围壁中具有至少两个局部凹槽，所述至少两个局部凹槽被定位于所述密封盖的彼此相对侧上。5.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述密封盖的外表面在所述外围壁中具有至少两个局部凹槽，所述至少两个局部凹槽被定位于所述密封盖的角部处。6.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述密封盖的外表面被定位于所述支撑板的外围边缘之外。7.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述电子集成电路芯片的前表面具有至少一个光学构件，以及所述密封盖的所述前壁具有贯通通道，所述贯通通道被设置有能够由光穿过的光学元件。8.一种用于制造封装体的方法，所述封装体包括：支撑板；密封盖，具有前壁和外围壁，在外表面上具有至少一个局部凹槽；以及至少一个电子集成电路芯片，所述方法包括以下步骤：将所述电子集成电路芯片固定在所述支撑板的前表面上；将胶珠沉积在所述支撑板的所述前表面的外围区域的至少一部分上方；将所述密封盖在一位置中放置于所述支撑板的所述前表面的顶部上，使得所述外围壁的末端边缘至少部分地被放置在所述胶珠上，并且所述胶珠的至少一个局部点在所述至少一个局部凹槽处被露出；通过第一硬化过程局部硬化所述胶珠的第一部分，所述第一部分被定位于局部凹槽所在的所述至少一个局部点处；以及通过在完成所述第一硬化过程之后所执行的第二硬化过程来硬化所述胶珠的与所述第一部分不同的第二部分。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述密封盖的外围表面包括：从所述末端边缘延伸的所述至少一个局部凹槽。2CN109273414A权利要求书2/2页10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述胶被配置用于在光辐射的作用下硬化并且被配置用于在热施加的作用下硬化。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一硬化过程是光辐射，以及所述第二硬化过程是热施加。12.根据权利要求11所述的方法，其中，局部硬化包括：朝向局部凹槽所在的所述至少一个局部点发射所述光辐射，并且其中，硬化包括在烤炉中烘烤。13.根据权利要求8所述的方法，其中，放置包括：使用传递和保持工具将所述密封盖定位在所述支撑板的顶部上。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述传递和保持工具包括：被配置用于执行所述局部硬化的硬化装备。3CN109273414A说明书1/5页电子封装体和制造方法[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2017年7月1