用于电子封装体的包封盖和制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109830472A(43)申请公布日2019.05.31(21)申请号201811317845.8H01L31/12(2006.01)(22)申请日2018.11.07(30)优先权数据17611012017.11.23FR(71)申请人意法半导体（格勒诺布尔2）公司地址法国格勒诺布尔(72)发明人K·萨克斯奥德V·弗雷A·巴弗特J-M·里维雷(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华郭星(51)Int.Cl.H01L25/04(2014.01)H01L25/075(2006.01)H01L31/0203(2014.01)权利要求书2页说明书6页附图13页(54)发明名称用于电子封装体的包封盖和制造方法(57)摘要用于电子封装体的包封盖和制造方法。用于电子封装体的包封盖包括具有在面之间延伸的贯通通道的前壁。前壁包括允许光穿过贯通通道的光学元件。利用盖主体被包覆成型在金属插入物上，盖主体和被嵌入在盖体中的金属插入物限定前壁的至少一部分。CN109830472ACN109830472A权利要求书1/2页1.一种用于电子封装体的包封盖，包括：盖主体；金属插入物，被嵌入在所述盖主体中，所述盖主体被包覆成型在所述金属插入物上；其中所述盖主体和嵌入的金属插入物形成具有从第一面到第二面的贯通通道的前壁，所述盖主体还包括从所述前壁的所述第二面突出的外周壁；以及光学元件，被定位在所述贯通通道内，并且被配置为允许光穿过所述贯通通道。2.根据权利要求1所述的盖，其中所述金属插入物的至少一部分延伸穿过所述外周壁。3.根据权利要求1所述的盖，其中所述贯通通道延伸穿过所述金属插入物。4.根据权利要求1所述的盖，其中所述金属插入物至少部分地围绕所述光学元件。5.根据权利要求1所述的盖，其中所述光学元件在所述贯通通道中被附接至所述金属插入物。6.根据权利要求1所述的盖，其中所述贯通通道至少部分地延伸穿过所述盖主体。7.根据权利要求6所述的盖，其中所述盖主体至少部分地被包覆成型在所述光学元件周围。8.根据权利要求1所述的盖，其中所述贯通通道至少部分地延伸穿过所述盖主体和所述金属插入物。9.根据权利要求1所述的盖，其中所述金属插入物的边缘在所述贯通通道处与所述光学元件分开一定距离，所述盖主体包括被定位在所述光学元件和所述金属插入物的所述边缘之间的部分。10.根据权利要求1所述的盖，其中所述金属插入物具有未被所述盖主体覆盖的至少一个面。11.根据权利要求1所述的盖，其中所述盖主体包括围绕所述金属插入物的外周缘。12.根据权利要求1所述的盖，其中所述盖主体包括位于所述外周壁的侧面上的至少一个内壁。13.一种电子封装体，包括：衬底晶片；电子部件，包括被安装在所述衬底晶片的面的顶部上的光学传感器或者光学发射器中的至少一个；以及包封盖，被安装在所述衬底晶片的所述面上以形成腔室，所述电子部件位于所述腔室中，其中所述包封盖包括：盖主体；金属插入物，被嵌入在所述盖主体中，所述盖主体被包覆成型在所述金属插入物上；其中所述盖主体和嵌入的金属插入物形成具有从第一面到第二面的贯通通道的前壁，所述盖主体还包括外周壁，所述外周壁从所述前壁的所述第二面突出，并且被安装至所述衬底晶片的所述面；以及光学元件，位于所述贯通通道内，并且被配置为允许光穿过所述贯通通道；其中所述前壁被定位在所述电子部件的前面，其中所述贯通通道与所述电子部件的所述光学传感器或者光学发射器对准。14.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述金属插入物的至少一部分延伸穿过2CN109830472A权利要求书2/2页所述外周壁，以被安装至所述衬底晶片的所述面。15.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述贯通通道延伸穿过所述金属插入物。16.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述金属插入物至少部分地围绕所述光学元件。17.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述光学元件在所述贯通通道中被附接至所述金属插入物。18.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述贯通通道至少部分地延伸穿过所述盖主体。19.根据权利要求18所述的电子封装体，其中所述盖主体至少部分地被包覆成型在所述光学元件周围。20.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述贯通通道至少部分地延伸穿过所述盖主体和所述金属插入物。21.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述金属插入物的边缘在所述贯通通道处与所述光学元件分开一定距离，所述盖主体包括被定位在所述光学元件和所述金属插入物的所述边缘之间的部分。22.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述金属插入物具有未被所述盖主体覆盖的至少一个面。23.根据权利要求13所述的电子封装体，其中所述盖主体包括围绕所述