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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110780395A(43)申请公布日2020.02.11(21)申请号201910670569.1(22)申请日2019.07.24(30)优先权数据18568832018.07.25FR(71)申请人意法半导体(格勒诺布尔2)公司地址法国格勒诺布尔(72)发明人R·科菲F·珀明加特J-M·里维雷(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华傅远(51)Int.Cl.G02B6/42(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称包括光学波导的电子设备和组件(57)摘要本公开的实施例涉及包括光学波导的电子设备和组件。一种电子芯片,其包括集成光学波导,该集成光学波导具有末端部分,该末端部分平行于电子芯片的面延伸。设置在电子芯片中的局部凹槽与集成光学波导的末端部分相邻延伸。细长光学电缆包括光学波导,并且具有端部,该端部至少部分地接合在局部凹槽中。细长光学电缆的端部被配置为经由局部凹槽的区域中的横向耦合来支撑光学波导与集成光学波导的光学耦合。提供一种外部封装件以容纳电子芯片。CN110780395ACN110780395A权利要求书1/2页1.一种电子设备,包括:电子集成电路芯片,包括半导体晶片和前互连层,其中所述半导体晶片中的至少一个集成光学波导具有末端部分,所述末端部分沿纵向方向平行于所述半导体晶片的面延伸,并且其中所述前互连层包括局部凹槽,所述局部凹槽与所述至少一个集成光学波导的所述末端部分相邻并且沿所述纵向方向延伸,以及细长光学电缆,包括至少一个光学波导并且具有端部,所述端部至少部分地接合在所述局部凹槽中,并且在一位置中平行于所述纵向方向延伸,使得所述光学电缆的所述至少一个光学波导经由所述局部凹槽的区域中的横向耦合被光学耦合到所述半导体晶片中的所述至少一个集成光学波导。2.根据权利要求1所述的设备,其中粘合剂层被插置在所述半导体晶片和所述细长光学电缆的所述端部之间。3.根据权利要求1所述的设备,还包括保持元件,所述保持元件被安装在所述电子集成电路芯片和所述细长光学电缆的所述端部上方。4.根据权利要求3所述的设备,其中所述保持元件包括另一局部凹槽,所述光学电缆的所述端部至少部分地接合在所述另一局部凹槽中。5.根据权利要求3所述的设备,其中粘合剂层被插置在所述保持元件和所述细长光学电缆的所述端部之间。6.根据权利要求1所述的设备,其中所述半导体晶片包括外围边缘,所述外围边缘垂直于所述纵向方向延伸。7.根据权利要求1所述的设备,还包括基板,所述基板面向所述电子集成电路芯片并且与所述局部凹槽相对地在所述细长光学电缆的所述端部上方延伸。8.根据权利要求7所述的设备,其中所述基板具有另一局部凹槽,所述细长光学电缆的所述端部至少部分地接合在所述另一局部凹槽中。9.根据权利要求7所述的设备,其中粘合剂层被插置在所述基板和所述细长光学电缆的所述端部之间。10.根据权利要求7所述的设备,其中所述基板包括电连接网络,并且所述设备还包括电连接元件,所述电连接元件被插置在所述电子集成电路芯片的所述前互连层与所述基板之间。11.根据权利要求1所述的设备,其中所述细长光学电缆的所述光学光波导包括集成纵向芯,以及端子模块中的集成芯,所述集成芯的一端轴向结合到所述纵向芯的对应端并且另一端与和所述端子模块的一侧齐平,所述端子模块的所述一侧与所述至少一个集成光学波导的所述末端部分相邻定位。12.一种组件,包括:电子设备,包括:电子集成电路芯片,包括半导体晶片和前互连层,其中所述半导体晶片中的至少一个集成光学波导具有末端部分,所述末端部分沿纵向方向平行于所述半导体晶片的面延伸,并且其中所述前互连层包括局部凹槽,所述局部凹槽与所述至少一个集成光学波导的所述末端部分相邻并且沿所述纵向方向延伸,以及细长光学电缆,包括至少一个光学波导并且具有端部,所述端部至少部分地接合在所2CN110780395A权利要求书2/2页述局部凹槽中,并且在一位置中平行于所述纵向方向延伸,使得所述光学电缆的所述至少一个光学波导经由所述局部凹槽的区域中的横向耦合被光学耦合到所述半导体晶片中的所述至少一个集成光学波导;以及外部封装件,所述电子设备容纳在所述外部封装件的内部。13.根据权利要求12所述的组件,其中所述细长光学电缆包括光学连接器,所述光学连接器被安装在所述外部封装件的壁上,以便允许所述电气设备的一个或多个外部光学连接件穿过所述壁。14.根据权利要求12所述的组件,还包括电连接电缆,所述电连接电缆一端设有被连接到所述电气设备的电连接器,并且另一端设有被安装在所述外部封装件的壁上的电连接器,以便允许所述电气设备的一个或多个外部电连接件穿过所述壁。15.根据权利要求12所述的组件