包括光学波导的电子设备和组件.pdf
景福****90
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包括光学波导的电子设备和组件.pdf
本公开的实施例涉及包括光学波导的电子设备和组件。一种电子芯片,其包括集成光学波导,该集成光学波导具有末端部分,该末端部分平行于电子芯片的面延伸。设置在电子芯片中的局部凹槽与集成光学波导的末端部分相邻延伸。细长光学电缆包括光学波导,并且具有端部,该端部至少部分地接合在局部凹槽中。细长光学电缆的端部被配置为经由局部凹槽的区域中的横向耦合来支撑光学波导与集成光学波导的光学耦合。提供一种外部封装件以容纳电子芯片。
包括光学电子组件的电子设备以及制造方法.pdf
本公开的实施例涉及包括光学电子组件的电子设备以及制造方法。不透明的电介质载体和限制基板由在彼此上层叠的层的堆叠形成。该堆叠包括实心背层和前框架,前框架具有外围壁和中间分隔件,前框架界定两个腔体,该两个腔体位于实心背层之上并且在中间分隔件的任一侧上。电子集成电路(IC)芯片位于腔体内部,并且被安装在实心背层之上。每个IC芯片包括集成光学元件。在IC芯片和实心背层的背侧电接触部之间提供电连接。透明的密封块被模制在腔体中以将IC芯片嵌入。
光学组件以及包含该光学组件的电子设备.pdf
本发明涉及一种光学组件以及包含该光学组件的电子设备。所述光学组件包括基材,以及依次层叠于所述基材表面的第一膜层和第二膜层,所述第二膜层中分散有质量百分比为1%~20%的减反射粒子;以质量百分比计,所述减反射粒子包括48%~52%的第一减反射粒子、28%~32%的第二减反射粒子和18%~22%的第三减反射粒子;其中,所述第一减反射粒子的粒径为≥50nm,且≤100nm;所述第二减反射粒子的粒径为≥20nm,且<50nm;所述第三减反射粒子的粒径为<20nm。该光学组件在具备减反射光学性能的同时,还具有较高的
光学子组件和光学组件.pdf
一种光学组件,包括:集成电路(IC)驱动器芯片;光学子组件,所述光学子组件设置在IC驱动器芯片上,所述光学子组件包括:垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备、设置在VCSEL设备的顶表面上方的光学元件、以及设置在VCSEL设备和光学元件之间的两个或更多个附接结构;以及设置在IC驱动器芯片和光学子组件之间的两个或更多个附加附接结构。VCSEL设备包括:设置在VCSEL设备的顶表面上的阴极触点,以及设置在VCSEL设备的顶表面上的阳极触点。光学元件包括在光学元件的底表面上的两个或更多个导电迹线。所述两个或更多
光学组件和光学组件的制造方法.pdf
本发明的目的在于提供能够实现可靠性的提高和成本降低的光学组件和光学组件的制造方法。光学组件(100)包括具有可动反射镜部(10)的反射镜单元(40)、产生作用于上述可动反射镜部的磁场的磁体部(50)和收纳上述磁体部的封装件(60)。上述磁体部具有包含力沿第1方向作用的第1磁体(51)和力沿第2方向作用的第2磁体(52、53)的海尔贝克结构。上述封装件(60)具有底壁部(61)、侧壁部(62)和限制上述第2磁体向上述第2方向的移动的限制部(63)。上述可动反射镜部配置在由磁体部的上表面(50a)和上述限制部