一种导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111056946A(43)申请公布日2020.04.24(21)申请号201911077551.7H01L51/56(2006.01)(22)申请日2019.11.06(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人王欢欢(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人张晓薇(51)Int.Cl.C07C69/618(2006.01)H01L51/50(2006.01)H01L51/54(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图1页(54)发明名称一种导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法(57)摘要本申请提供一种导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法，通过提供富勒烯衍生物作为导电材料，将包括所述导电材料的溶液涂布于发光器件的第一电极层上，以形成了电子注入层，从而提供了一种成本低的导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法。CN111056946ACN111056946A权利要求书1/2页1.一种导电材料，其特征在于，所述导电材料的结构式其中，R1为苯环、芳香族共轭碳环或者芳香族杂环，R2为主链碳原子数为3-7的烷基链，所述R3为主链碳原子数为1-5的烷基链。2.一种发光器件，其特征在于，包括：基板；第一电极层，所述第一电极层设置于所述基板上；电子注入层，所述电子注入层设置于所述第一电极层上，其中，所述电子注入层包括导电材料，所述导电材料的结构式其中，R1为苯环、芳香族共轭碳环或者芳香族杂环，R2为主链碳原子数为3-7的烷基链，所述R3为主链碳原子数为1-5的烷基链；发光层，所述发光层设置于所述电子注入层上；空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述发光层上；以及第二电极层，所述第二电极层设置于所述空穴注入层上。3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述电子注入层的厚度为10纳米-20纳米。4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为30纳米-50纳米。5.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为8纳米-15纳米。6.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板；2CN111056946A权利要求书2/2页在所述基板上设置一第一电极层；在所述第一电极层上设置一电子注入层，其中，所述电子注入层包括导电材料，所述导电材料的结构式其中，R1为苯环、芳香族共轭碳环或者芳香族杂环，R2为主链碳原子数为3-7的烷基链，所述R3为主链碳原子数为1-5的烷基链；在所述电子注入层上设置一发光层；在所述发光层上设置一空穴注入层；在所述空穴注入层上设置一第二电极层。7.如权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述在所述第一电极层上设置一电子注入层的步骤中，包括：配置第一溶液，所述第一溶液包括所述导电材料和第一溶剂，所述导电材料的质量和所述第一溶剂的体积的对应关系为10毫克的所述导电材料对应2-10毫升的所述第一溶剂；以及将所述第一溶液涂覆于所述第一电极层上形成所述电子注入层。8.如权利要求7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂为三乙二醇二甲醚、甲苯、乙醚、丙酮和三乙醇胺中的一种或几种的组合。9.如权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述在所述电子注入层上设置一发光层的步骤中，包括：配置第二溶液，所述第二溶液包括发光材料和第二溶剂，所述发光材料的质量和所述第二溶剂的体积的对应关系为8毫克的所述发光材料对应1毫升-5毫升的所述第二溶剂；以及将所述第二溶液涂覆于所述电子注入层形成所述发光层。10.如权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述在所述发光层上设置一空穴注入层的步骤中，包括：配置第三溶液，所述第三溶液包括空穴注入材料和第三溶剂，所述空穴注入材料的质量和所述第三溶剂的体积的对应关系为1毫克的所述空穴注入材料对应0.5毫升-2毫升的所述第三溶剂；以及将所述第三溶液涂覆于所述发光层上形成所述空穴注入层。3CN111056946A说明书1/8页一种导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法技术领域[0001]本申请涉及一种导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法。背景技术[0002]聚合物发光二极管是一种将电能转化成光能的发光器件，聚合物发光二极管的功能层包括电子注入层，在现有技术中，电子注入层通常采用真空蒸镀的方法完成，然而，真空蒸镀工艺过程复杂，且需要真空蒸镀设备，导致成本高。因此，如何提供一种成本低的导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法是目前亟待解决的问题。发明内容[0003]本申请提供一种导电材料、发光器件以及发光器件的制备方法，以解决目前在制