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本发明公开一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件,其中,一种半导体复合发光材料包括半导体荧光材料和氧化物,氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构,且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1~100。氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构,所得到的复合物形成typeⅡ能级结构,且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1~100,通过调控氧化物的种类和含量,获得波长可调,光谱稳定的半导体复合发光材料。