预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共26页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113808946A(43)申请公布日2021.12.17(21)申请号202010537282.4(22)申请日2020.06.12(71)申请人芯恩(青岛)集成电路有限公司地址266000山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401(72)发明人季明华刘聪慧王欢杨龙康(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L21/331(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L29/739(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图10页(54)发明名称超结功率器件及其制备方法(57)摘要本发明提供一种超结功率器件及其制备方法,在制备超结功率器件时,可在形成第一导电类型外延层之后通过添加超结掩膜版、在形成第二导电类型阱区之前或之后直接通过阱区掩膜版,以及在形成接触结构之前或之后直接通过接触掩膜版,即可在第一导电类型外延层内注入第二导电类型杂质,以依次形成第二导电类型浮岛及第二导电类型柱,该制备工艺无需进行多次外延工艺,且无需进行深沟道刻蚀,因此制备工艺简单、成本低,且成品率及可靠性较高。本发明的超结功率器件同时具有第二导电类型浮岛及第二导电类型柱,在断路状态,可提高功率器件的击穿电压,降低米勒电容和输入电容,且在导通状态,可降低器件的导通电阻。CN113808946ACN113808946A权利要求书1/2页1.一种超结功率器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:形成第一导电类型外延层;于所述第一导电类型外延层内形成沟槽栅极结构,所述沟槽栅极结构包括栅氧化层及栅极导电层;通过阱区掩膜版,于所述沟槽栅极结构之间的所述第一导电类型外延层内,形成第二导电类型阱区;通过源区掩膜版,于所述第二导电类型阱区内,形成第一导电类型源区;通过接触掩膜版,形成接触结构,所述接触结构贯穿所述第一导电类型源区,且与所述第二导电类型阱区相接触;形成第二导电类型浮岛,所述第二导电类型浮岛位于所述第一导电类型外延层内,且所述第二导电类型浮岛的上表面及下表面均与所述第一导电类型外延层相接触;形成第二导电类型柱,所述第二导电类型柱位于所述第一导电类型外延层内,并位于所述第二导电类型浮岛的正上方,且与所述第二导电类型阱区相接触。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在形成所述第一导电类型外延层之后,在所述第一导电类型外延层的表面上形成超结掩膜版,并通过所述超结掩膜版,在所述第一导电类型外延层内注入第二导电类型杂质,以依次形成所述第二导电类型浮岛及第二导电类型柱。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在形成所述第二导电类型阱区之前或之后,通过所述阱区掩膜版,在所述第一导电类型外延层内注入第二导电类型杂质,以依次形成所述第二导电类型浮岛及第二导电类型柱。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在形成所述接触结构之前或之后,通过所述接触掩膜版,在所述第一导电类型外延层内注入第二导电类型杂质,以依次形成所述第二导电类型浮岛及第二导电类型柱。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:形成的所述第二导电类型浮岛与形成的所述第二导电类型柱之间的所述第一导电类型外延层的厚度范围大于0.1μm。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,形成所述接触结构的步骤包括:通过所述接触掩膜版,刻蚀所述第一导电类型源区,形成贯穿所述第一导电类型源区的接触沟槽;通过所述接触掩膜版,于所述第二导电类型阱区内注入第二导电类型杂质,以形成第二导电类型接触区;通过所述接触掩膜版,形成填充所述接触沟槽的金属接触区,且所述金属接触区与所述第二导电类型接触区相接触。7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述第一导电类型为n型,所述第二导电类型为p型;或所述第一导电类型为p型,所述第二导电类型为n型。8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:还包括在所述第一导电类型外延层的下表面形成第一导电类型缓冲层的步骤。9.根据权利要求1~8中任一所述的制备方法,其特征在于:还包括在所述第一导电类型外延层的下表面形成第二导电类型注入层的步骤。10.一种超结功率器件,其特征在于,所述超结功率器件包括:2CN113808946A权利要求书2/2页第一导电类型外延层;第二导电类型阱区,位于所述第一导电类型外延层内;第一导电类型源区,位于所述第二导电类型阱区内;沟槽栅极结构,所述沟槽栅极结构包括栅氧化层及栅极导电层,所述沟槽栅极结构位于所述第一导电类型外延层内,且贯穿所述第一导电类型源区及第二导电类型阱区;接触结构,贯穿所述第一导电类型源区,且与所述第二导电类