超结功率器件及其制备方法.pdf
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超结功率器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种超结功率器件及其制备方法,在制备超结功率器件时,可在形成第一导电类型外延层之后通过添加超结掩膜版、在形成第二导电类型阱区之前或之后直接通过阱区掩膜版,以及在形成接触结构之前或之后直接通过接触掩膜版,即可在第一导电类型外延层内注入第二导电类型杂质,以依次形成第二导电类型浮岛及第二导电类型柱,该制备工艺无需进行多次外延工艺,且无需进行深沟道刻蚀,因此制备工艺简单、成本低,且成品率及可靠性较高。本发明的超结功率器件同时具有第二导电类型浮岛及第二导电类型柱,在断路状态,可提高功率器件的击穿电压,降低
超结器件终端结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种超结器件终端结构及其制备方法,终端结构包括:半导体衬底;外延层,位于半导体衬底的表面,外延层包括若干个交替排列的n型柱及p型柱;厚氧化层,覆盖于外延层表面,在每相邻两个p型柱之间对应位置的厚氧化层上设置有贯穿槽;栅氧化层,位于外延层表面;多晶硅栅,位于贯穿槽内。本发明在基本保持源漏击穿电压与导通电阻不变的前提下,在超结器件终端区增加多晶硅栅结构,通过调整多晶硅栅在所述超结器件终端区的面积,可以在较低的源漏偏压下引入更多缓变的栅漏电容,使得超结器件的栅漏电容曲线突变区变缓,进而改善超结器件的电
超结器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种超结器件,包括形成于超结结构的N型柱顶部的沟槽栅,沟道区的掺杂包括在源极对应的接触孔的开口形成后、金属填充前进行带倾角的P型离子注入形成的P型离子注入杂质,P型离子注入的注入峰值的纵向深度小于等于栅极沟槽的底部表面深度,P型离子注入使沟道区的底部形成一个深度从栅极沟槽的底部到P型柱逐渐变深的轮廓结构,沟道区的底部轮廓使超结器件单元的碰撞电离最强区域从多晶硅栅侧面覆盖位置下探到沟道区的底部轮廓区域,用以提升器件的EAS能力。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的EAS能力。
超结器件及其制造方法.pdf
本申请公开了一种超结器件及其制造方法。该超结器件的制造方法,包括:在半导体衬底上形成外延层;在外延层中形成多个第一半导体柱;在外延层上形成牺牲叠层;以牺牲叠层作为第一硬掩模,在外延层中形成体区,体区具有与第一硬掩模对齐的第一边缘;在牺牲叠层的侧壁形成侧墙;以牺牲叠层和侧墙作为第二硬掩模,在体区中形成源区,源区具有与第二硬掩模对齐的第一边缘;去除牺牲叠层;以及在外延层上形成栅叠层,栅叠层横跨体区的第一边缘和源区的第一边缘,使得超结器件的沟道长度对应于牺牲叠层的侧墙厚度。该制造方法采用牺牲叠层的侧墙控制沟道长
一种超结功率器件及其制作方法.pdf
本发明公开了一种超结功率器件及其制作方法,其中制作方法包括:在衬底上形成外延层,并对所述外延层进行刻蚀形成沟槽;在所述外延层上方及所述沟槽内形成氧化层和多晶硅;在所述沟槽内填充介质材料形成介质层,去除所述外延层上方的氧化层、多晶硅以及沟槽内的介质层,保留所述沟槽内的氧化层、多晶硅和介质层,使得沟槽内保留的介质层与氧化层和多晶硅高度相同。采用对外延层进行刻蚀形成沟槽的方式,并在沟槽内形成氧化层和多晶硅,然后在沟槽中填充介质材料,形成P型区域,与现有制作方法相比,本发明不需要重复进行外延生长工艺来制作外延层,