借助于线锯制造半导体晶片的方法、线锯以及单晶硅半导体晶片.pdf
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相关资料
借助于线锯制造半导体晶片的方法、线锯以及单晶硅半导体晶片.pdf
本发明公开了通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法、线锯以及单晶硅半导体晶片。该方法包括:馈送所述工件通过线的布置,所述线在线导辊之间张紧同时被分成线组并沿运行方向移动;当所述线啮合进所述工件时产生切口;对于每一个所述线组,测定所述线组的切口的放置误差;以及对于每一个所述线组,通过激活至少一个驱动元件,在馈送所述工件通过所述线的布置期间,沿着垂直于所述线组的线的运行方向的方向,根据所测定的线组的切口的放置误差来引起所述线组的线的补偿移动。
半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法.pdf
本发明提供一种半导体晶片的评价方法,包括:制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线;以及对上述轮廓曲线进行二次微分,评价对象的半导体晶片为在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片,上述轮廓曲线包括曲线部分,该曲线部分表示X轴的值与水平方向位置坐标对应,Y轴的值与垂直方向位置坐标对应,且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓,该半导体晶片的评价方法还包括基于根据由上述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标,评价上述主面和与该主面
切割半导体晶片的方法、从半导体晶片切割的芯片以及从半导体晶片切割的芯片的阵列.pdf
一种切割半导体晶片的方法,包括:在该晶片的背面主表面中切割基准槽;在该背面主表面中切割背槽,该背槽相对该基准槽定位;确定所需的芯片边缘相对该基准槽的位置;以及在某个路径中施加辐射能量,从而在该晶片内沿该路径形成一系列改造区域。该晶片的晶体结构在这一系列改造区域中被改变,并且该激光的边缘相对该芯片边缘的所需位置对齐且与该背槽对齐。该方法包括沿这一系列改造区域将该晶片分开成在这一系列改造区域任一侧上的该晶片的分割区域。
半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法.pdf
本发明公开一种半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法。为了解决在切割道切割半导体晶片时探针测试垫残留垫金属造成的半导体芯片可靠度恶化的问题,在具有多个半导体芯片的半导体晶片,具有形成于半导体晶片的切割区的多个探针测试垫、形成于半导体芯片上的多个直通硅晶穿孔、与将各探针测试垫连接于各直通硅晶穿孔的线路层,而被构成为:在晶片测试后,通过蚀刻移除多个探针测试垫及线路层的一部分的至少其中之一。另外,半导体晶片还具有以覆盖移除线路层的一部分时残留的线路层的曝露面的形式形成的保护膜。
半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片.pdf
本发明提供半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片。通过实施例公开半导体晶片加工方法。该方法包括以下工序:用第一砂轮或刀片对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽的工序;用第二砂轮对所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述半导体晶片的背面与所述槽一体地形成凹部的工序;和用第三砂轮进一步对包含由所述第二砂轮研磨出的研磨面的所述凹部的底面进行研磨的工序。