封装结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115842011A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202211100193.9(22)申请日2022.09.07(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人卢宗正王彦武(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H01L25/065(2023.01)H01L23/498(2006.01)H01L23/49(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称封装结构及其制造方法(57)摘要本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括：堆叠件，堆叠件包括多个层叠的半导体器件；多个电连接部，电连接部位于堆叠件的一侧，且每一电连接部与相应的两个半导体器件电连接多条导线，每一所述线连接一电连接部和至少两个半导体器件；其中，每一导线包括公用部以及与公用部一端连接的至少两个连接部，公用部的另一端连接到电连接部，每一连接部分别连接到相应的半导体器件。至少可以解决封装结构中存在的stub效应引起的反射问题以及时延较大的问题。CN115842011ACN115842011A权利要求书1/2页1.一种封装结构，其特征在于，包括：堆叠件，所述堆叠件包括多个层叠的半导体器件；多个电连接部，所述电连接部位于所述堆叠件的一侧，且每一所述电连接部与相应的两个所述半导体器件电连接；多条导线，每一所述导线连接一所述电连接部和至少两个所述半导体器件；其中，每一所述导线包括公用部以及与所述公用部一端连接的至少两个连接部，所述公用部的另一端连接到所述电连接部，每一所述连接部分别连接到相应的所述半导体器件。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，与同一所述导线连接的至少两个所述半导体器件中，定义处于最下层的所述半导体器件为下层半导体器件；所述公用部与所述连接部的连接点高于所述下层半导体器件的顶面。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述公用部与所述连接部的连接点与所述下层半导体器件的顶面之间的距离小于或等于70μm。4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，对于同一所述导线，所述公用部的线宽与所述连接部的线宽相同。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，对于同一所述导线，所述公用部的材料与所述连接部的材料相同。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：基板，所述电连接部以及所述堆叠件均位于所述基板表面上。7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述导线包括两个所述连接部；所述公用部与所述基板表面的夹角为第一夹角，两个所述连接部之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角小于所述第一夹角，所述第二夹角小于90°。8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，与同一所述导线电连接的两个所述半导体器件处于相邻层。9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，与同一所述导线电连接的两个所述半导体器件之间还具有至少一个所述半导体器件。10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述堆叠件为垂直堆叠，多个所述半导体器件的侧面相互齐平。11.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述堆叠件为交错堆叠，多个所述半导体器件的侧面相互交错。12.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体器件包括芯片，且所述半导体器件还包括芯片露出的焊盘，所述连接部的一端与所述焊盘电连接。13.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：提供堆叠件，所述堆叠件包括多个层叠的半导体器件；形成多个电连接部，所述电连接部位于所述堆叠件的一侧，且每一所述电连接部与相应的两个所述半导体器件电连接；形成多条导线，每一所述导线连接一所述电连接部和至少两个所述半导体器件；其中，每一所述导线包括公用部以及与所述公用部一端连接的至少两个连接部，所述公用部的另一端连接到所述电连接部，每一所述连接部分别连接到相应的所述半导体器件。14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，形成所述导线的工艺步骤包括：提供2CN115842011A权利要求书2/2页模具，所述模具具有与每一所述导线形状相对应的空心区域；向所述空心区域倒入液态导电材料并进行冷却处理以形成所述导线；将所述导线从所述模具中进行脱模。3CN115842011A说明书1/8页封装结构及其制造方法技术领域[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种封装结构及其制造方法。背景技术[0002]封装结构是一种半导体器件被配置用作电子产品的一部分的结构。为了满足小型化和高度集成化封装结构的需求，目前提出层叠封装的概