设计光掩膜版的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102193306A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102193306A(43)申请公布日2011.09.21(21)申请号201010124698.X(22)申请日2010.03.11(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人张婉娟(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人董巍顾珊(51)Int.Cl.G03F1/14(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称设计光掩膜版的方法(57)摘要一种设计光掩膜版的方法，所述方法包括：a)将初始状态的掩膜版作为目标层，并设定第一目标图案；b)在所述目标层上模拟图案的轮廓，对于小于设计规则的所述图案输出未产生模拟轮廓的错误位置；c)扩大所述错误位置的图案尺寸；d)对所述目标层再次模拟所述图案的轮廓；e)判断再次模拟的轮廓是否符合所述第一目标图案，如果所述再次模拟的轮廓不符合所述第一目标图案，则返回步骤c)，直到符合所述第一目标图案为止；f)将所述第一目标图案作为光学临近修正的初始图案。本发明能够有效解决次设计规则版图上OPC模型没有足够涵盖范围的问题。CN102936ACCNN110219330602193313A权利要求书1/1页1.一种设计光掩膜版的方法，所述方法包括：a)将初始状态的掩膜版作为目标层，并设定第一目标图案；b)在所述目标层上模拟图案的轮廓，对于小于设计规则的所述图案输出未产生模拟轮廓的错误位置；c)扩大所述错误位置的图案尺寸；d)对所述目标层再次模拟所述图案的轮廓；e)判断再次模拟的轮廓是否符合所述第一目标图案，如果所述再次模拟的轮廓不符合所述第一目标图案，则返回步骤c)，直到符合所述第一目标图案为止；f)将所述第一目标图案作为光学临近修正的初始图案。2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括下列步骤：g)设定所述光掩膜版的第二目标图案；h)计算所述第一目标图案的轮廓与所述第二目标图案之间的边缘定位误差，对所述目标层进行光学临近修正。3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括下列步骤i)将修正后的目标层写至光掩膜版上，形成掩膜电路图形。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤c)中扩大图案尺寸的方式为手动扩大。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤c)中扩大量为图案尺寸的5％～30％。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤e)的循环次数为1-2次。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述边缘定位误差的可容忍值为3nm至5nm。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一目标图案为孔。2CCNN110219330602193313A说明书1/5页设计光掩膜版的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及利用光学临近修正(OPC，OpticalProximityCorrection)的光掩膜版的制作方法。背景技术[0002]随着半导体制造技术的飞速发展，为了半导体器件达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高的集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的关键尺寸(CD，CriticalDimension)越小。[0003]为了实现微小的CD，必须使光掩膜版上更加精细的图像聚焦在半导体衬底的光刻胶上，而且必须增强光学分辨率，以制造接近光掩膜工艺中光学分辨率极限的半导体器件。分辨率增强技术包括利用短波长光源、相移掩膜方法和轴外照射(OAI，Off-AxisIllumination)的方法。理论上讲，在利用OAI的情况下，分辨率大约比利用传统照射时的分辨率高约1.5倍，而且能够增强聚焦深度。通过OAI技术，由光学系统印制在半导体衬底上CD的最小空间周期可以被进一步缩短，但是会产生光学临近效应(OPE，OpticalProximityEffect)。光学临近效应源于当光掩膜版上节距非常靠近的电路图形以微影方式转移到半导体衬底的光刻胶上时，由于相邻图形间的光衍射和干涉，而造成最后转移到光刻胶上的图形扭曲失真，产生依图形形状而定的变动。在深亚微米器件中，由于电路图形非常密集，光学临近效应会降低光学系统对于曝光图形的分辨率。[0004]现行的半导体器件制作工艺均是先利用计算机系统来对电路版图进行光学临近修正以补偿光学临近效应，然后再将修正过的电路版图形成于光掩膜版上。[0005]OPC模型的建立基于与每一代设计规则密切相关的大量真实的晶片数据，数据来源于光掩膜版上大量系统的OPC测试图案以微影方式曝光后在晶片上形成图形，然后对这些图形测得的尺寸。一般而言，当OPC测试图案符合设计规则，即相邻图形间的节距或经曝光后在晶片上形成的尺寸大于等于设计规则限定的最小值时，可在晶