蚀刻装置及蚀刻方法.pdf
骊蓉****23
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相关资料
蚀刻装置及蚀刻方法.pdf
一种蚀刻装置,包括蚀刻槽、传送滚轮组、上喷淋装置、下喷淋装置、第一升降机构以及第二升降机构。该传送滚轮组、上喷淋装置及下喷淋装置均设置于蚀刻槽内。该传送滚轮组包括多个上传送滚轮和多个下传送滚轮。该上喷淋装置位于多个上传送滚轮的上方。该下喷淋装置位于多个下传送滚轮的下方。该第一升降机构安装于蚀刻槽,并与上喷淋装置相连接,用于驱动上喷淋装置相对多个上传送滚轮在垂直于电路板传送的方向移动。该第二升降机构也安装于蚀刻槽,并与下喷淋装置相连接,用于驱动下喷淋装置相对于多个下传送滚轮在垂直于电路板传送的方向移动。本发
蚀刻方法以及蚀刻装置.pdf
本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法,所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器,所述蚀刻方法包含以下工序:将所述具有被蚀刻膜的基板配置在所述基板支撑器上的工序;将包含HF气体的处理气体供给至所述腔室内的工序;利用具有第一频率的高频在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序;以及利用比所述第一频率还低的第二频率将脉冲电压周期性地施加至所述基板支撑器的施加工序。
蚀刻方法和蚀刻装置.pdf
本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体,来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理,能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且,在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下,能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。
蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法.pdf
提供了一种蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法,所述蚀刻装置包括:腔室;台,设置在腔室中,并且目标基底装载在台上;气体分布单元,在腔室中设置为面对台;多个等离子体产生模块,设置在腔室上方;气体供应单元,将气体供应到腔室中;气体线路,将气体供应单元和多个等离子体产生模块连接;以及多个气体入口管,每个气体入口管包括连接到多个等离子体产生模块中的对应的等离子体产生模块的一端和连接到气体分布单元的另一端。
蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法.pdf
本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法,包括:主体,由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成,主体顶面和主体底面隔开规定间隔,主体外径面为将主体顶面的外侧轮廓线和主体底面的外侧轮廓线相连接的面,主体内径面与主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部;及安置部,由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成,安置部顶面的外径直接连接到主体内径面且安置部顶面位于低于主体顶面的位置,安置部底面与安置部顶面隔开规定间隔且与主体底面连接,安置部内径面为将安置部顶面的内侧轮廓线和安置部底