蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114267572A(43)申请公布日2022.04.01(21)申请号202111037766.3(22)申请日2021.09.06(30)优先权数据10-2020-01191842020.09.16KR(71)申请人三星显示有限公司地址韩国京畿道龙仁市(72)发明人金大洙金湘甲吕伦钟李珠熙赵秀范崔大元(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286代理人韩芳郭文峰(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)H01L21/67(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图13页(54)发明名称蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法(57)摘要提供了一种蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法，所述蚀刻装置包括：腔室；台，设置在腔室中，并且目标基底装载在台上；气体分布单元，在腔室中设置为面对台；多个等离子体产生模块，设置在腔室上方；气体供应单元，将气体供应到腔室中；气体线路，将气体供应单元和多个等离子体产生模块连接；以及多个气体入口管，每个气体入口管包括连接到多个等离子体产生模块中的对应的等离子体产生模块的一端和连接到气体分布单元的另一端。CN114267572ACN114267572A权利要求书1/2页1.一种蚀刻装置，所述蚀刻装置包括：腔室；台，设置在所述腔室中，并且目标基底装载在所述台上；气体分布单元，在所述腔室中设置为面对所述台；多个等离子体产生模块，设置在所述腔室上方；气体供应单元，将气体供应到所述腔室中；气体线路，将所述气体供应单元和所述多个等离子体产生模块连接；以及多个气体入口管，每个气体入口管包括连接到所述多个等离子体产生模块中的对应的等离子体产生模块的一端和连接到所述气体分布单元的另一端。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述多个等离子体产生模块包括：第一等离子体产生模块，在平面图中与所述腔室的上表面的边缘间隔开第一距离，以及多个第二等离子体产生模块，在平面图中与所述腔室的所述上表面的所述边缘间隔开第二距离，并且所述第二距离小于所述第一距离。3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其中，在平面图中，所述第一等离子体产生模块设置在所述腔室的所述上表面的中心中。4.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其中，所述第一等离子体产生模块和所述多个第二等离子体产生模块在第一方向上布置在所述腔室的所述上表面上。5.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其中，所述多个第二等离子体产生模块分别设置在所述腔室的所述上表面的角区域处。6.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置选择性地切换到第一操作模式或第二操作模式，在所述第一操作模式下，所述多个等离子体产生模块被关闭，在所述第二操作模式下，所述多个等离子体产生模块被打开。7.根据权利要求6所述的蚀刻装置，其中，在所述第一操作模式下，从所述气体供应单元供应的处于气态的所述气体穿过所述多个等离子体产生模块并按原样被引入到所述腔室中，并且在所述第二操作模式下，所述多个等离子体产生模块被打开，并且从所述气体供应单元供应的处于所述气态的所述气体通过所述多个等离子体产生模块被激发到等离子体状态并被引入到所述腔室中。8.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述多个等离子体产生模块在所述腔室的上表面上设置为彼此间隔开第三距离，并且所述第三距离小于或等于所述气体在第一时间期间在所述腔室中的扩散距离的两倍。9.根据权利要求8所述的蚀刻装置，其中，所述第一时间是在其期间通过所述多个等离子体产生模块转换为等离子体状态的所述气体在所述腔室中保持处于所述等离子体状态的时间。10.根据权利要求8所述的蚀刻装置，所述蚀刻装置还包括电源单元，所述电源单元将电力供应到所述多个等离子体产生模块、所述台和所述气体分布单元中的至少一个，2CN114267572A权利要求书2/2页其中，所述第一时间是从当将所述目标基底装载在所述台上时起直到所述电源单元供应所述电力的时间。11.根据权利要求10所述的蚀刻装置，其中，所述台包括静电卡盘，并且从当将所述目标基底装载在所述静电卡盘上时起在已经过去所述第一时间之后，所述静电卡盘被打开。12.根据权利要求10所述的蚀刻装置，其中，所述电源单元包括射频电源，所述射频电源供应能量以将穿过所述气体分布单元的所述气体激发到等离子体状态。13.根据权利要求12所述的蚀刻装置，其中，所述射频电源电连接到所述台。14.根据权利要求12所述的蚀刻装置，其中，所述射频电源电连接到所述气体分布单元。15.根据权利要求14所述的蚀刻装置，其中，所述气体分布单元包括感应线圈。16.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述目标基底包括基体层和设置在所述基体层上的金属层，