蚀刻方法和蚀刻装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110047747A(43)申请公布日2019.07.23(21)申请号201910043237.0(22)申请日2019.01.17(30)优先权数据2018-0057922018.01.17JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人浅田泰生折居武彦铃木健斗(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇李茂家(51)Int.Cl.H01L21/3065(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图10页(54)发明名称蚀刻方法和蚀刻装置(57)摘要本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。CN110047747ACN110047747A权利要求书1/1页1.一种蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括如下工序：向在表面形成有含硅膜的基板供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，向所述基板供给七氟化碘气体的期间与向所述基板供给所述碱性气体的期间相互重叠。3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括如下工序：在将所述基板的温度设成80℃以上的状态下，以使所述碱性气体的流量/所述七氟化碘气体的流量成为1～1.8的方式向收纳该基板的处理容器内供给该碱性气体和七氟化碘气体。4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括如下工序：在所述基板的温度比80℃低的状态下，以使所述碱性气体的流量/所述七氟化碘气体的流量成为1以下的方式向收纳该基板的处理容器内供给该碱性气体和七氟化碘气体。5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，碱性气体、七氟化碘气体向所述基板的供给以该碱性气体、七氟化碘气体的顺序进行。6.根据权利要求1～5的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，对所述含硅膜进行蚀刻的工序包括如下工序：在将所述基板的温度设为30℃～120℃的状态下，向该基板供给所述七氟化碘气体和所述碱性气体。7.根据权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，对所述含硅膜进行蚀刻的工序包括如下工序：将容纳所述基板的处理容器内的压力设为13.3Pa～133.3Pa而供给所述七氟化碘气体和所述碱性气体。8.根据权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述碱性气体是氨气。9.一种蚀刻装置，其特征在于，该蚀刻装置具备：处理容器；载置部，其设置于所述处理容器内，用于载置在表面形成有含硅膜的基板；以及气体供给部，其向所述处理容器内供给七氟化碘气体和碱性气体而对所述含硅膜进行蚀刻。2CN110047747A说明书1/9页蚀刻方法和蚀刻装置技术领域[0001]本发明涉及使用七氟化碘气体来对含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法和蚀刻装置。背景技术[0002]在半导体装置的制造工序中，具有进行去除在半导体晶圆(以下，记载为晶圆)的表面形成的多晶硅膜等含硅膜的处理的情况。在专利文献1、2中，示出有如下内容：在对多晶硅膜进行蚀刻时，使用IF7(七氟化碘)气体作为蚀刻选择性相对于该多晶硅膜较高的气体。另外，在专利文献3中记载有如下内容：为了对蚀刻性能进行调整，将向IF7气体添加氧化性气体或者非活性气体而成的气体用作蚀刻气体，来对硅层进行蚀刻。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：日本特再公表2015-115002号公报[0006]专利文献2：日本特再公表2015-60069号公报[0007]专利文献3：日本特许第6032033号公报发明内容[0008]发明要解决的问题[0009]在使用上述的IF7气体等蚀刻气体来进行含硅膜的干蚀刻的情况下，难以在晶圆的面内均匀性较高地进行蚀刻。另外，例如具有如下情况：对埋入到晶圆表面的含硅膜进行蚀刻，以形成作为图案的凹部的方式进行处理，但具有如下情况：由于如此蚀刻的均匀性较低，产生上述的凹部的侧壁附近的底部的含硅膜比较多地残留的、被称为Footing的现象。也就是说，在纵截侧面中看来凹部的侧面与底面之间的正交性较低，难以形成该正交性较高的良好的形状的凹部。[0010]因此，具有如下情况：在例如通过使用了等离子体的各向异性蚀刻将含硅膜的上部侧去除了后，进行利用湿蚀刻去除含硅膜的下部侧的处理。不过，上述的等离子体蚀刻有可能对晶圆表面造成损伤，且由于进行等离子体蚀刻和湿蚀刻这样的多个处理，因此，花费