预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共19页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102629593A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102629593A(43)申请公布日2012.08.08(21)申请号201210092783.1(22)申请日2012.03.29(30)优先权数据13/292,5992011.11.09US(71)申请人友达光电股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号(72)发明人方俊雄林瑜玲(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人梁挥王颖(51)Int.Cl.H01L21/77(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书权利要求书3页3页说明书说明书88页页附图附图77页(54)发明名称软性电子装置及其制作方法(57)摘要一种软性电子装置及其制作方法,该制作方法包含:形成第一层于基材上,以定义第一区域与围绕第一区域的第二区域,以至少局部地暴露出第一区域中的基材,且第一层位于第二区域中;形成第二层于第一区域与第二区域上方的第一层上,因而第二层与第一区域中的基材间的附着力较第二层与第二区域中的第一层间的附着力弱;形成电子装置层于第一区域上方的第二层上,EDL定义出边界,此边界投影地位于第一区域中;以及通过沿着轮廓切穿第一层与第二层的方式,将EDL与基材分离,此轮廓位于第一区域中但不小于边界。CN1026953ACN102629593A权利要求书1/3页1.一种软性电子装置的制作方法,其特征在于,包含:(a)提供一基材,该基材具有一第一表面及相对的一第二表面;(b)形成一第一层于该基材的该第一表面上,以在该基材中定义出一第一区域及一第二区域,该第二区域围绕该第一区域,如此至少局部地暴露出该第一区域中的该基材的该第一表面,且该第一层至少部分位于该第二区域中;(c)形成一第二层于该第一区域与该第二区域上方的该第一层上,如此该第二层与该第一区域中的该基材的一附着力较该第二层与该第二区域中的该第一层的一附着力弱;(d)形成一电子装置层于该第一区域上方的该第二层上,其中该电子装置层在该第一区域上定义出一边界,且该边界投影地位于该第一区域中;以及(e)通过沿着一轮廓切穿该第二层的方式,将该电子装置层与部分的该第二层与该基材分离,其中该轮廓相等于或大于该电子装置层的该边界但不超出该第一区域。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤包含形成由一助粘材料所组成的一助粘层于该基材的该第一表面上。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中该助粘材料包含有机硅烷。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中形成该助粘层的步骤包含:以该助粘材料涂布该基材的该第一表面;以及在一第一温度下烘烤该助粘材料涂布的该基材一第一段时间,以形成该助粘层。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,其中该第一温度的范围介于50℃至250℃,且该第一段时间的范围介于5分钟至10分钟。6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中形成该助粘层的步骤包含以该助粘材料气相涂布该基材的该第一表面,以形成该助粘层。7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤还包含:转印具有一图案的一掩膜于该助粘层上,其中该图案对应于该第一区域与该第二区域;在空气或氧气的一环境中,以一紫外光处理该掩膜,借以使该紫外光照射该第一区域上的该助粘层,且该第二区域上的该助粘层被遮蔽而不受该紫外光照射;以及在照射该紫外光后,移除该第一区域上的部分该助粘层。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,其中该处理步骤在一第二温度且在一烘箱中进行一第二段时间。9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,其中该第二温度的范围介于25℃至300℃,且该第二段时间的范围介于1分钟至10分钟。10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤包含形成由一抗剥离材料组成的一抗剥离层于该基材的该第一表面上,其中该抗剥离材料包含一金属氧化物。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,其中该抗剥离材料包含氧化铟锡。12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,其中形成该抗剥离层的步骤包含溅镀或气相涂布该抗剥离材料于该基材的该第一表面上的步骤。13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤还包含:定义该抗剥离层上的具有一图案的一光阻,其中该图案对应于该第一区域与该第二区2CN102629593A权利要求书2/3页域;蚀刻该第一区域上的该抗剥离层,借以至少局部地暴露出该第一区域中的该基材;以及移除该光阻。14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,其中图案化该第一区域上的该抗剥离层,以使该第一区域的一未暴露部分为该第一区域的0.1%至30.0%,且该第二区